0  1646  1654  1660  1664  1670  1672  1676  1682  1684  1690  1696  1700  1702  1706  1712  1714  1720  1724  1726  1730  1732  1736  1738  1740  1741  1742  1744  1745  1746  1748  1750  1754  1756  1760  1762  1766  1772  1774  1780  1784  1786  1790  1796  1802  1804  1810  1814  1816  1822  1826  1832  1840  447090 

1560.8

異丁烷

試題詳情

2878.0

乙烷

試題詳情

891.0

正丁烷

試題詳情

21.以下是一些烷烴的燃燒熱(KJ/mol)數(shù)據(jù),試回答下列問題:

化合物

燃燒熱

化合物

燃燒熱

甲烷

試題詳情

文本框: 甲+乙
 

 

 

 

 

 

 

試回答下列有關(guān)問題:

   ⑴X的化學式             ,X的熔點為801℃,實際工業(yè)冶煉中常常加入40%Y共熔,猜想工業(yè)上這樣做的目的                                              。

⑵Y在實驗室中的用途              (列舉一例)。

   ⑶反應②的化學方程式是_____________________________________________。

⑷反應③的離子方程式是                                             。

五.(本題包括1小題,共9分)

試題詳情

20.下圖表示各物質(zhì)之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系,其中反應的部分產(chǎn)物已被省去。①、②為工業(yè)生產(chǎn)及應用中常見反應,B是一種具有漂白作用的鹽,Y易潮解,F(xiàn)是一種淡黃色固體。

試題詳情

19.原子序數(shù)依次增大的A、B、C、D四種短周期元素。元素A的原子半徑在短周期中最小,元素C的單質(zhì)在空氣中含量最多,D所在周期的各元素單質(zhì)沸點變化如圖I(原子序數(shù)按遞增順序連續(xù)排列)。B、C、D三種元素均能與A形成等電子的三種分子,且化合物中各原子的個數(shù)比為:

化合物

 

原子個數(shù)比

B∶A=1∶3

C∶A=1∶2

D∶A=1∶2

 

 

⑴元素D在元素周期中的位置                     。

⑵B、C形成的一種化合物X是一種原子晶體,晶體  

中B、C原子均達到穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則X的化學式為    

         ;X的熔點         金剛石(填“大于”、

“等于”或“小于”)。

⑶寫出圖I中沸點最高的單質(zhì)與NaOH溶液反應的離子方程式:                                               。

試題詳情

⑴粗硅與HCl反應完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0℃)中含有少量SiCl4沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為:____________________。

⑵用SiHCl3與過量H2反應制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):

 

 

 

 

 

 

 

①裝置B中的試劑是________________________,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:___________________________________________________________。

②反應一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是________________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是____________________________________,裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為____________________________________。

③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應溫度以及____________________________________。

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),請設計一個簡單的實驗方案,簡述有關(guān)實驗步驟。                                                                        

                                                              。

試題詳情

18.(16分)已知:制備純硅的主要步驟如下:

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅;②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2;③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應制得純硅。

已知:SiHCl3能與H2O強烈反應,在空氣中易自燃。

請回答下列問題:

試題詳情

②用10 mL量筒量取5.80 mL鹽酸;   

③用稀醋酸可除去熱水瓶內(nèi)的水垢;

④檢驗鹵代烴中鹵素時,可將鹵代烴直接加入硝酸酸化的硝酸銀溶液中

⑤金屬鈉著火可用干燥的細沙撲滅;

⑥用排水法收集氫氣時,不需要檢驗純度,可直接點燃;

⑦檢驗碳酸鈉溶液中是否混有氫氧化鈉可先加足量的氯化鈣溶液,再滴入酚酞試液;

⑧可用過濾法除去氧氫化鐵膠體中少量的氯化鐵和鹽酸。

試題詳情


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