(2011?安徽二模)光滑絕緣水平面上存在豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B,寬度為2L,一邊長(zhǎng)為L(zhǎng)、電阻為R.用同種材料做成的正方形線框以初速度v0從左側(cè)沖進(jìn)磁場(chǎng)區(qū)域,俯視圖如圖所示,當(dāng)線框完全離開磁場(chǎng)時(shí)速度恰好為零.以ab邊剛進(jìn)人磁場(chǎng)時(shí)為時(shí)間和位移的零點(diǎn),用v表示線框速度(以右為正方向),i表示回路中的感應(yīng)電流(以逆時(shí)針方向?yàn)檎,i0表示零時(shí)刻回路的感應(yīng)電流),Uab表示a、b兩點(diǎn)間的電壓,F(xiàn)ab表示ab邊所受的安培力(向左為正,F(xiàn)0表示零時(shí)刻ab邊所受的安培力).則關(guān)于以上四個(gè)物理量對(duì)時(shí)間t或?qū)ξ灰苮的圖象中正確的(  )
分析:線圈進(jìn)入磁場(chǎng)到最后離開磁場(chǎng),先做變減速運(yùn)動(dòng),然后做勻速,最后接著做變減速,三段位移相同,則時(shí)間不可能相同.
利用微元法分析:a△t=
B2L2v
R
△t,即△v=
B2L2
R
△x,再微分,得線框完全進(jìn)入磁場(chǎng)的速度為
v0
2
.根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律,求出進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)、完全進(jìn)入、剛離開磁場(chǎng)時(shí)的電動(dòng)勢(shì)、電流、ab兩端的電壓及安培力.
解答:解:線圈進(jìn)入磁場(chǎng)到最后離開磁場(chǎng),先做變減速運(yùn)動(dòng),然后做勻速,最后接著做變減速,三段位移相同,則時(shí)間不可能相同.故①②都錯(cuò).線圈剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度為vo,則Uab=
3
4
E
=
3BLv0
4
,ab邊所受安培力F0=
B2L2v0
R
,根據(jù)微元法計(jì)算,線框完全進(jìn)入磁場(chǎng)的速度為
v0
2
Uab=
3BLv0
8
,ab邊所受安培力變?yōu)?span id="gga6aac" class="MathJye" mathtag="math" style="whiteSpace:nowrap;wordSpacing:normal;wordWrap:normal">
1
2
F0,在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),Uab=E=
1
2
BLv0
,電流為零,安培力為零.剛出磁場(chǎng)時(shí)Uab=
1
4
E
=
BLv0
8
,ab邊雖然電流不為零,但所處的磁感應(yīng)強(qiáng)度為零,所以安培力為零.進(jìn)磁場(chǎng)和出磁場(chǎng)時(shí),根據(jù)微元法分析a△t=
B2L2v
R
△t,即△v=
B2L2
R
△x,v與x成線性關(guān)系,所以Uab與x成線性關(guān)系,安培力與速度成正比,所以安培力也與x成線性關(guān)系.故A、B、D錯(cuò)誤,C正確.
故選C.
點(diǎn)評(píng):解決本題關(guān)鍵正確運(yùn)用法拉第電磁感應(yīng)定律與電學(xué)的綜合以及能夠用微元法求出線框完全進(jìn)入磁場(chǎng)的速度.
練習(xí)冊(cè)系列答案
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(2011?安徽二模)如圖所示,在粗糙程度相同的斜面上固定一點(diǎn)電荷Q,在M點(diǎn)無初速度地釋放帶有恒定電荷的小物塊,小物塊在Q的電場(chǎng)中沿斜面運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)靜止,則從M到N的過程中( 。

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gR
的初速度向右沖向小滑塊b,與b碰撞后彈簧不與b相粘連,且小滑塊b在到達(dá)B點(diǎn)之前已經(jīng)和彈簧分離,不計(jì)一切摩擦,求:
(1)a和b在碰撞過程中彈簧獲得的最大彈性勢(shì)能;
(2)小滑塊b經(jīng)過圓形軌道的B點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道的壓力;
(3)小滑塊b最終落到軌道上何處.

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