Question

【題目】如圖所示為 T2 噬菌體侵染細(xì)菌實(shí)驗(yàn)中的一組，下列敘述正確的是

A. 本組實(shí)驗(yàn)中的細(xì)菌先用 32P 的培養(yǎng)基培養(yǎng)一段時(shí)間

B. 子代噬菌體中具有放射性的個(gè)體占大多數(shù)

C. 上清液中放射性較高的原因可能是攪拌不充分

D. 沉淀中放射性偏低的原因可能是保溫時(shí)間過(guò)長(zhǎng)

Answer 1

【答案】D

【解析】

T2噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)：

①研究著：1952年，赫爾希和蔡斯。

②實(shí)驗(yàn)材料：T2噬菌體和大腸桿菌等。

③實(shí)驗(yàn)方法：放射性同位素標(biāo)記法。

④實(shí)驗(yàn)思路：S是蛋白質(zhì)的特有元素，DNA分子中含有P，蛋白質(zhì)中幾乎不含有，用放射性同位素32P和放射性同位素35S分別標(biāo)記DNA和蛋白質(zhì)，直接單獨(dú)去觀察它們的作用。

⑤實(shí)驗(yàn)過(guò)程：吸附→注入（注入噬菌體的DNA）→合成（控制者：噬菌體的DNA；原料：細(xì)菌的化學(xué)成分）→組裝→釋放。

⑥實(shí)驗(yàn)結(jié)論：DNA是遺傳物質(zhì)。

A、由于親代噬菌體已用32P標(biāo)記，所以細(xì)菌不能先用32P的培養(yǎng)基培養(yǎng)一段時(shí)間，A錯(cuò)誤；

B、子代噬菌體中具有放射性的個(gè)體只占少數(shù)，B錯(cuò)誤；

C、懸浮液中放射性較高的原因可能是離心時(shí)間短，C錯(cuò)誤

D、如果保溫時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，子代噬菌體會(huì)從大腸桿菌中釋放出來(lái)，導(dǎo)致上清液中也會(huì)出現(xiàn)放射性，沉淀中放射性偏低，D正確。

故選D。