6．解析:(1)設(shè)AB邊剛進(jìn)入磁場時(shí)速度為0,線框質(zhì)量為m.電阻為R.AB=l ,則CD=5 l 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

質(zhì)量為m、邊長為L的正方形線框，從有水平邊界的勻強(qiáng)磁場上方由靜止自由下落，線框電阻為R，勻強(qiáng)磁場的寬度為H（H＞L），磁感強(qiáng)度為B，方向水平．線框下落過程中ab邊與磁場界面平行、與磁場垂直．已知ab邊剛進(jìn)入磁場和剛穿出磁場時(shí)都作減速運(yùn)動(dòng)，加速度大小均為a=g/4（g為當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣龋挥?jì)空氣阻力，試求：
（1）ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)速度v1的大��；
（2）cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí)線框速度v2的大��；
（3）線框穿越整個(gè)磁場的過程中消耗的電能．

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質(zhì)量為m、邊長為L的正方形線框，從有水平邊界的勻強(qiáng)磁場上方由靜止自由下落，線框電阻為R，勻強(qiáng)磁場的寬度為H（H＞L），磁感強(qiáng)度為B，方向水平．線框下落過程中ab邊與磁場界面平行、與磁場垂直．已知ab邊剛進(jìn)入磁場和剛穿出磁場時(shí)都作減速運(yùn)動(dòng)，加速度大小均為a=g/4（g為當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣龋挥?jì)空氣阻力，試求：
（1）ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)速度v1的大��；
（2）cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí)線框速度v2的大��；
（3）線框穿越整個(gè)磁場的過程中消耗的電能．
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質(zhì)量為m、邊長為L的正方形線框，從有水平邊界的勻強(qiáng)磁場上方由靜止自由下落，線框電阻為R，勻強(qiáng)磁場的寬度為H（H＞L），磁感強(qiáng)度為B，方向水平．線框下落過程中ab邊與磁場界面平行、與磁場垂直．已知ab邊剛進(jìn)入磁場和剛穿出磁場時(shí)都作減速運(yùn)動(dòng)，加速度大小均為a=g/4（g為當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣龋挥?jì)空氣阻力，試求：
（1）ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)速度v1的大�。�
（2）cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí)線框速度v2的大��；
（3）線框穿越整個(gè)磁場的過程中消耗的電能．

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如圖所示,相距為d 的兩水平虛線L1和L2之間是方向水平向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,正方形線框abcd邊長為L,L＜d,質(zhì)量為m,電阻為R,將線圈在磁場上方高為h處,由靜止釋放,ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)速度為,ab邊剛出磁場時(shí)速度也為,在線圈全部穿過磁場過程中(    )

 

A.感應(yīng)電流所做功為mgd       B.感應(yīng)電流所做功為2mgd      

 C.線圈最小速度一定為  D.線圈最小速度一定為

 

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如圖所示,相距為d 的兩水平虛線L1和L2之間是方向水平向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,正方形線框abcd邊長為L,L＜d,質(zhì)量為m,電阻為R,將線圈在磁場上方高為h處,由靜止釋放,ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)速度為,ab邊剛出磁場時(shí)速度也為,在線圈全部穿過磁場過程中(    )

 

A.感應(yīng)電流所做功為mgd       B.感應(yīng)電流所做功為2mgd      

 C.線圈最小速度一定為  D.線圈最小速度一定為

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