【題目】如圖所示，一定質量的理想氣體經(jīng)過了一個狀態(tài)變化的循環(huán)過程，A→B是等溫過程，B→C是等容過程，C→A是絕熱過程。下列說法正確的是( )

【題目】質量為mA的A球，以某一速度沿光滑水平面向靜止的B球運動，并與B球發(fā)生彈性正碰，假設B球的質量mB可選取為不同的值，則下列正確的是（　�。�

【題目】在科研實驗中需要將電離后得到的一價氦離子和二價氦離子進行分離，小李同學設計了如圖所示方案：在真空環(huán)境中，將一價氦離子和二價氦離子的混合物通過A、B兩極板間的電場加速，然后再讓它們經(jīng)過由平行帶電金屬板C、D所形成的另一勻強電場發(fā)生偏轉。若氦離子進入加速電場時的速度可忽略不計，氦離子重力不計，且所有的氦離子均可達到離子接收器處。那么在離子接收器處，下列說法正確的是（　�。�

【題目】如圖所示，O點是小球平拋運動的拋出點，緊挨O點左側有一個點光源，在拋出點的正前方，豎直放置一塊光屏，在小球拋出時，小球在光屏上形成的影點剛好與小球的位置等高。已知O點到光屏的距離為L=1.5m，測得在小球拋出后的0.1s內小球在光屏上的影點沿光屏向下移動的距離為7.5cm，取重力加速度g=10m/s2。則下列說法正確的是（　�。�

【題目】如圖所示，在容器A中有同一種元素的兩種同位素正粒子，它們的初速度幾乎為0，粒子可從容器A下方的小孔S1飄入加速電場，然后經(jīng)過S3沿著與磁場垂直的方向進入勻強磁場中，最后第一種同位素粒子打到照相底片D上的M點，第二種同位素粒子打到照相底片D上的N點。不計同位素粒子重力。量出M點、N點到S3的距離分別為x1、x2，則第一種與第二種同位素粒子在磁場中運動的時間之比為（　�。�

【題目】如圖所示，物塊從高為h1的A處由靜止開始，分別沿路徑1和路徑2滑下。路徑1是傾角較小的斜面，路徑2由傾角較大的斜面和一段平面構成。物塊都滑到C點，然后滑向另一個斜面3。已知物塊在各處的動摩擦因數(shù)相同，物塊在拐彎處速度大小不變。物塊沿路徑1滑下能沿斜面3向上滑到的最高點B的高度為h2，則沿路徑2滑下時，物塊沿斜面3向上滑到的最大高度（　　）

【題目】在電子技術中，科研人員經(jīng)常通過在適當?shù)膮^(qū)域施加磁場或電場束控制帶電粒子的運動。如圖所示，位于M板處的粒子源不斷產(chǎn)生質量為m、電荷量為q的粒子，粒子經(jīng)小孔S1不斷飄入電壓為U的加速電場，其初速度可視為零；然后經(jīng)過小孔S2射出后沿x軸方向從坐標原點O垂直于磁場方向進入x軸上方（含x軸正半軸）的有界勻強磁場控制區(qū)，磁場的磁感應強度為B。粒子發(fā)生270°偏轉后離開磁場豎直向下打在水平放置的熒光屏上，已知N板到y軸、熒光屏到x軸的距離均為L，不考慮粒了重力及粒子間的相互作用。

【題目】如圖所示，足夠長的U形導體框架的寬度l=0.5m，電阻忽略不計，其所在平面與水平面成θ=37°角，磁感應強度B=0.8T的勻強磁場方向垂直于導體框平面，一根質量m=0.2kg，有效電阻R=2Ω的導體棒MN垂直跨放在U形框架上，導體棒與框架間的動摩擦因數(shù)μ=0.5，導體棒由靜止開始沿框架下滑到剛開始勻速運動，通過導體棒截面的電量共為Q=2C．求：

【題目】如圖所示，水平地面上有兩個靜止的物塊A和B，A、B的質量分別為m1＝2kg，m2＝1kg，它們與地面間的動摩擦因數(shù)均為μ＝0.5。現(xiàn)對物塊A施加一大小I＝40N·s，水平向右的瞬時沖量，使物塊A獲得一個初速度，t＝1s后與物塊B發(fā)生彈性碰撞，且碰撞時間很短，A、B兩物塊均可視為質點，重力加速度g＝10m/s2。