精英家教網(wǎng)制備納米薄膜裝置的工作電極可簡(jiǎn)化為真空中間距為d的兩平行極板,如圖甲所示,加在極板A、B間的電壓UAB作周期性變化,其正向電壓為U0,反向電壓為-kU0(k>1),電壓變化的周期為2r,如圖乙所示.在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場(chǎng)作用由靜止開始運(yùn)動(dòng).若整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,電子未碰到極板A,且不考慮重力作用.
(1)若k=
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,電子在0-2r時(shí)間內(nèi)不能到達(dá)極板A,求d應(yīng)滿足的條件;
(2)若電子在0~200t時(shí)間內(nèi)未碰到極板B,求此運(yùn)動(dòng)過程中電子速度v隨時(shí)間t變化的關(guān)系;
(3)若電子在第N個(gè)周期內(nèi)的位移為零,求k的值.
分析:(1)電子在0~τ時(shí)間內(nèi)做勻加速運(yùn)動(dòng),在τ~2τ時(shí)間內(nèi)先做勻減速運(yùn)動(dòng),后反向做初速度為零的勻加速運(yùn)動(dòng),電子不能到達(dá)極板A的條件為電子運(yùn)動(dòng)位移之和小于板間距離
(2)電子2n~(2n+1)τ時(shí)間內(nèi)向下勻加速直線運(yùn)動(dòng),在(2n+1)~2(n+1)τ時(shí)間內(nèi)做向下做勻減速直線運(yùn)動(dòng),求出一個(gè)電壓變化周期內(nèi)電子速度的增量,在求任意時(shí)間電子的速度隨時(shí)間的變化規(guī)律
(3)電子在第N個(gè)周期內(nèi)的位移是在2(N-1)τ~(2N-1)τ時(shí)間內(nèi)的位移與電子在(2N-1)τ~2Nτ時(shí)間內(nèi)的位移的矢量和,求出表達(dá)式,利用位移為零得到k的表達(dá)式
解答:解:(1)電子在0~τ時(shí)間內(nèi)做勻加速運(yùn)動(dòng)
加速度的大。a1=
eU0
md
…①
位移:x1=
1
2
a1τ2
…②
在τ~2τ時(shí)間內(nèi)先做勻減速運(yùn)動(dòng),后反向做勻加速運(yùn)動(dòng)
加速度的大。a2=
5eU0
4md
…③
初速度的大。簐1=a1τ…④
勻減速運(yùn)動(dòng)階段的位移:x2=
v12
2a2
…⑤
依據(jù)題意:d>x1+x2
解得:d>
9eU0τ2
10m
…⑥
(2)在2nτ~(2n+1)τ 時(shí)間內(nèi),(n=0,1,2,3…99)
速度增量△v1=a1τ…⑦
在(2n+1)τ~2(n+1)τ(n=0,1,2,…99)時(shí)間內(nèi)
加速度大。篴′2=
ekU0
md

速度增量:△v2=-a′2τ…⑧
(a)當(dāng)0≤t-2nτ<τ時(shí)
電子的運(yùn)動(dòng)速度:v=n△v1+n△v2+a1(t-2nτ)…⑨
解得:v=【t-(k+1)nτ】
eU0
dm
,(n=0,1,2,3…99)…⑩
(b)當(dāng)0≤t-(2n+1)τ<τ時(shí)
電子運(yùn)動(dòng)的速度:v=(n+1)△v1+n△v2-a′2【t-(2n+1)τ】…(11)
解得:v=【(n+1)(k+1)τ-kτ】
eU0
dm
,(n=0,1,2,3…99)…(12)
(3)電子在2(N-1)τ~(2N-1)τ時(shí)間內(nèi)的位移:x2N-1=v2N-2τ+
1
2
a1τ2

電子在(2N-1)τ~2Nτ時(shí)間內(nèi)的位移:x2N=v2N-1τ+
1
2
a2τ2

由⑩式可知:v2N-2=(N-1)(1-k)τ
eU0
dm

由(12)式可知:v2N-1=(N-Nk+k)τ
eU0
dm

依據(jù)題意:x2N-1+x2N=0
解得:k=
4N-1
4N-3

答:(1)d應(yīng)滿足的條件是d>
9eU0τ2
10m

(2)(a)當(dāng)0≤t-2nτ<τ時(shí)
v=【t-(k+1)nτ】
eU0
dm
,(n=0,1,2,3…99)
(b)當(dāng)0≤t-(2n+1)τ<τ時(shí),v=【(n+1)(k+1)τ-kτ】
eU0
dm
,(n=0,1,2,3…99)
(3)若電子在第N個(gè)周期內(nèi)的位移為零,則 k=
4N-1
4N-3
點(diǎn)評(píng):電子在交變電場(chǎng)中的變加速運(yùn)動(dòng)問題是考察的熱點(diǎn),重要的是分析清楚電子的運(yùn)動(dòng)情景,同時(shí)這種問題運(yùn)算量較大,過程較為復(fù)雜,給學(xué)生造成較大的難度
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

制備納米薄膜裝置的工作電極可簡(jiǎn)化為真空中間距為d的兩平行極板,如圖甲所示.加在極板A、B間的電壓UAB按圖乙所示規(guī)律變化:在0-T0時(shí)間內(nèi)電壓為U0,此后電壓呈周期性變化,電壓大小為kU0,電壓變化的周期為2τ.在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場(chǎng)作用由靜止開始運(yùn)動(dòng).若無論經(jīng)過多長(zhǎng)的時(shí)間,這個(gè)電子既未碰到極板A,也沒有碰到極板B,且不考慮重力作用.
(1)d的取值必須滿足什么條件?
(2)k的取值以及T0與τ之間的關(guān)系必須滿足什么條件?
(3)現(xiàn)逐漸增大k的值,使得電子第一次向B極板運(yùn)動(dòng)時(shí)就能碰到B板,求k的最小值.

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科目:高中物理 來源: 題型:

制備納米薄膜裝置的工作電極可簡(jiǎn)化為真空中間距為的兩平行極板,如圖甲所示,加在極板A、B間的電壓作周期性變化,其正向電壓為,反向電壓為,

電壓變化的周期為2r,如圖乙所示.在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場(chǎng)作用由靜止開始運(yùn)動(dòng).若整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,電子未碰到極板A,且不考慮重力作用.

(1)若,電子在0—2r時(shí)間內(nèi)不能到達(dá)極板,求應(yīng)滿足的條件;

(2)若電子在時(shí)間內(nèi)未碰到極板B,求此運(yùn)動(dòng)過程中電子速度隨時(shí)間t變化的關(guān)系;

(3)若電子在第個(gè)周期內(nèi)的位移為零,求k的值。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(16分)制備納米薄膜裝置的工作電極可簡(jiǎn)化為真空中間距為的兩平行極板,如圖甲所示,加在極板A、B間的電壓作周期性變化,其正向電壓為,反向電壓為,

電壓變化的周期為2r,如圖乙所示.在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場(chǎng)作用由靜止開始運(yùn)動(dòng).若整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,電子未碰到極板A,且不考慮重力作用.

(1)若,電子在0—2r時(shí)間內(nèi)不能到達(dá)極板,求應(yīng)滿足的條件;

(2)若電子在時(shí)間內(nèi)未碰到極板B,求此運(yùn)動(dòng)過程中電子速度隨時(shí)間t變化的關(guān)系;

(3)若電子在第個(gè)周期內(nèi)的位移為零,求k的值。

 

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科目:高中物理 來源: 題型:

 制備納米薄膜裝置的工作電極可簡(jiǎn)化為真空中間距為d的兩平行極板,如圖甲所示,加在極板A、B間的電壓UAB作周期性變化,其正向電壓為U0,反向電壓為-kU0(k>1),

電壓變化的周期為2r,如圖乙所示。在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場(chǎng)作用由靜止開始運(yùn)動(dòng)。若整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,電子未碰到極板A,且不考慮重力作用。

(1)若,電子在0—2r時(shí)間內(nèi)不能到達(dá)極板A,求d應(yīng)滿足的條件;

(2)若電子在0—2r時(shí)間未碰到極板B,求此運(yùn)動(dòng)過程中電子速度隨時(shí)間t變化的關(guān)系;

(3)若電子在第N個(gè)周期內(nèi)的位移為零,求k的值。

 

 

 

 

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