制備納米薄膜裝置的工作電極可簡化為真空中間距為d的兩平行極板,如圖甲所示,加在極板A、B間的電壓UAB作周期性變化,其正向電壓為U0,反向電壓為-kU0(k>1),
電壓變化的周期為2r,如圖乙所示。在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場作用由靜止開始運(yùn)動(dòng)。若整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,電子未碰到極板A,且不考慮重力作用。
(1)若,電子在0—2r時(shí)間內(nèi)不能到達(dá)極板A,求d應(yīng)滿足的條件;
(2)若電子在0—2r時(shí)間未碰到極板B,求此運(yùn)動(dòng)過程中電子速度隨時(shí)間t變化的關(guān)系;
(3)若電子在第N個(gè)周期內(nèi)的位移為零,求k的值。
(1)
(2)v=[t-(k+1)n],(n=0,1,2, ……,99)和v=[(n+1)(k+1)-kt],(n=0,1,2, ……,99)
(3)
解析:(1)電子在 0~τ時(shí)間內(nèi)做勻加速運(yùn)動(dòng)
加速度的大小 ①
位移 ②
在τ~2τ時(shí)間內(nèi)先做勻減速運(yùn)動(dòng),后反向做勻加速運(yùn)動(dòng)
加速度的大小 ③
初速度的大小 ④
勻減速運(yùn)動(dòng)階段的位移 ⑤
依據(jù)題, 解得 ⑥
(2)在~,(n=0,1,2,……99)時(shí)間內(nèi)
速度增量 ⑦
在~,(n=0,1,2,……99)時(shí)間內(nèi)
加速度的大小
速度增量 ⑧
(a)當(dāng)0≤~<時(shí)
電子的運(yùn)動(dòng)速度 v=n△v1+n△v2+a1(t-2n) ⑨
解得 v=[t-(k+1)n] ,(n=0,1,2, ……,99) ⑩
(b)當(dāng)0≤t-(2n+1)<時(shí)
電子的運(yùn)動(dòng)速度 v=(n+1)△v1+n△v2- [t-(2n+1)] ⑾
解得v=[(n+1)(k+1)-kt],(n=0,1,2, ……,99) ⑿
(3)電子在2(N-1)~(2N-1)時(shí)間內(nèi)的位移x2N-1=v2N-2+a12
電子在(2N-1)~2NT時(shí)間內(nèi)的位移x2N=v2N-1-
由⑩式可知 v2N-2=(N-1)(1-k)
由⑿式可知 v2N-1=(N-Nk+k)
依題意得 x2N-1+x2N=0
解得:
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制備納米薄膜裝置的工作電極可簡化為真空中間距為的兩平行極板,如圖甲所示,加在極板A、B間的電壓作周期性變化,其正向電壓為,反向電壓為,
電壓變化的周期為2r,如圖乙所示.在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場作用由靜止開始運(yùn)動(dòng).若整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,電子未碰到極板A,且不考慮重力作用.
(1)若,電子在0—2r時(shí)間內(nèi)不能到達(dá)極板,求應(yīng)滿足的條件;
(2)若電子在時(shí)間內(nèi)未碰到極板B,求此運(yùn)動(dòng)過程中電子速度隨時(shí)間t變化的關(guān)系;
(3)若電子在第個(gè)周期內(nèi)的位移為零,求k的值。
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(16分)制備納米薄膜裝置的工作電極可簡化為真空中間距為的兩平行極板,如圖甲所示,加在極板A、B間的電壓作周期性變化,其正向電壓為,反向電壓為,
電壓變化的周期為2r,如圖乙所示.在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場作用由靜止開始運(yùn)動(dòng).若整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,電子未碰到極板A,且不考慮重力作用.
(1)若,電子在0—2r時(shí)間內(nèi)不能到達(dá)極板,求應(yīng)滿足的條件;
(2)若電子在時(shí)間內(nèi)未碰到極板B,求此運(yùn)動(dòng)過程中電子速度隨時(shí)間t變化的關(guān)系;
(3)若電子在第個(gè)周期內(nèi)的位移為零,求k的值。
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