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【題目】如圖所示,在水平地面上的A點以v1速度跟地面成θ角射出一彈丸,恰好以v2的速度垂直穿入豎直壁上的小孔B,下面說法正確的是( )

A. B點以跟v2大小相等的速度,跟v2方向相反射出彈丸,它必定落在地面上的A

B. B點以跟v1大小相等的速度,跟v2方向相反射出彈丸,它必定落在地面上的A

C. B點以跟v1大小相等的速度,跟v2方向相反射出彈丸,它必定落在地面上A點的左側

D. B點以跟v1大小相等的速度,跟v2方向相反射出彈丸,它必定落在地面上A點的右側

【答案】AC

【解析】試題分析:彈丸恰好以速度v2垂直穿入豎直墻壁上的小孔B,逆過來看,為平拋運動,所以在B點以跟v2大小相等、方向相反的速度射出彈丸,它必定落在地面上的A點.故A正確.從BA為平拋運動,所以v1大小大于v2大小,所以在B點以跟v1大小相等、跟v2方向相反的速度,射出彈丸,平拋運動的水平位移會增大,它必定落在地面上A點的左側.故C正確,BD錯誤.故選AC。

練習冊系列答案
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【題目】半導體內導電的粒子——“載流子有兩種:自由電子和空穴(空穴可視為能自由移動帶正電的粒子),以空穴導電為主的半導體叫P型半導體,以自由電子導電為主的半導體叫N型半導體。圖為檢驗半導體材料的類型和對材料性能進行測試的原理圖,圖中一塊長為a、寬為b、厚為c的半導體樣品板放在沿y軸正方向的勻強磁場中,磁感應強度大小為B。當有大小為I、沿x軸正方向的恒定電流通過樣品板時,會產生霍爾電勢差U,若每個載流子所帶電量的絕對值為e,下列說法中正確的是

A. 如果上表面電勢高,則該半導體為P型半導體

B. 如果上表面電勢高,則該半導體為N型半導體

C. 其它條件不變,增大c時,U增大

D. 其它條件不變,電流I取值越大,電勢差U越大

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【題目】在做“研究平拋運動”的實驗時:

1)研究平拋運動,下面哪些做法可以減小實驗誤差______

A.使用密度大、體積小的鋼球

B.盡量減小鋼球與斜槽間的摩擦

C.實驗時,讓小球每次都從同一高度由靜止開始滾下

D.使斜槽末端的切線保持水平

(2)如圖所示為一小球做平拋運動的閃光照片的一部分,圖中背景方格的邊長均為L=5 cm,如果g10 m/s2,那么:

①閃光頻率為____________Hz

②小球運動中水平分速度的大小是_______m/s

③小球經過B點時的速度大小是___________m/s

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B. 一定做直線運動

C. 一定做非勻變速運動

D. 一定做曲線運動

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(1)小球所受重力和電場力的大小

(2)小球脫離軌道后到達最高點時的動能

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【題目】一滑塊以一定的初速度從一固定斜面的底端向上沖,到斜面上某一點后返回底端,斜面粗糙.下列四幅圖像分別表示滑塊運動過程中位移x、速度v、動能Ek和重力勢能Ep(以斜面底端為參考平面)隨時間變化的關系圖像,其中正確的是

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【題目】如圖所示,有一矩形線圈的面積為S,匝數為N,繞OO′軸在磁感應強度為B的勻強磁場中以角速度勻速轉動時,通過滑動觸頭P上下移動時可改變輸出電壓,副線圈接有定值電阻R,從圖示位置開始計時,下列判斷正確的是  

A. 當變壓器的變壓比為n時,電流表測得的是電流最大值,其值為

B. 感應電動勢的瞬時值表達式為

C. P向上移動時,電流表示數變大

D. P向上移動時,電流表示數變小

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【題目】如圖,一半徑為R、粗糙程度處處相同的半圓形軌道豎直固定放置,直徑POQ水平。一質量為m的質點自P點上方高度R處由靜止開始下落,恰好從P點進入軌道。質點滑到軌道最低點N時,對軌道的壓力為4mg,g為重力加速度的大小。用W表示質點從P點運動到N點的過程中克服摩擦力所做的功。則

A ,質點恰好可以到達Q點

B ,質點不能到達Q點

C ,質點到達Q點后,繼續(xù)上升一段距離

D ,質點到達Q點后,繼續(xù)上升一段距離

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B. 線段AB上有一個電勢為零的點

C. 電荷BC點產生的電場場強大小為E-EA

D. 將電量為q(q>0)的點電荷從C點移到無窮遠處,電場力做的功為q

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