[化學(xué)——選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)
已知元素A、B、C、D、E、F均屬前四周期且原子序數(shù)依次增大, 其中A含有3個(gè)能級(jí),且每個(gè)能級(jí)所含的電子數(shù)相同,C的基態(tài)原子2p軌道有2個(gè)未成對(duì)電子;C與D形成的化合物中C顯正化合價(jià);E的M層電子數(shù)是N層電子數(shù)的4倍,F(xiàn)除最外層原子軌道處于半充滿狀態(tài),其余能層均充滿電子,請(qǐng)回答下列問題:
(1)元素A、B、C的第一電離能由小到大的是_______(用元素符號(hào)表示)。
(2)F原子的外圍電子排布式為_______,F(xiàn)的晶體中原子的堆積方式是下圖中的_______(填寫“甲”、“乙”或“丙”)。

(3)B與C形成的四原子陰離子的立體構(gòu)型為      ,其中B原子的雜化類型是       
(4)任寫一種與AB離子互為等電子體的離子       。
(5)F(OH)2難溶于水,易溶于氨水,寫出其溶于氨水的離子方程式                    。
(6)D和E形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,其化學(xué)式為          ,

已知晶體的密度為g·cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,
則晶胞邊長(zhǎng)a=          cm。(用、NA的計(jì)算式表示)
(7)A、B、C三種元素和氫元素形成的氰酸有兩種結(jié)構(gòu),一種分子  
內(nèi)含有叁鍵,稱為氰酸,另一種分子內(nèi)不含叁鍵,稱為異氰酸,   
且兩種結(jié)構(gòu)中所有原子最外層均已達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu),分子中也不含環(huán)狀結(jié)構(gòu)。請(qǐng)分別寫
出氰酸和異氰酸的結(jié)構(gòu)式:_______________、______________。
(1)C O N(1分)
(2)3d104s1 (1分) 丙(1分)
(3)平面三角形(1分),sp2(1分)
(4)C22- 或O22+(2分) 
(5)Cu(OH)2+4NH3·H2O = Cu(NH3)42+ + 2OH- + 4H2O[或Cu(OH)2+4NH3 = Cu(NH3)42+ + 2OH-](2分)    
(6)CaF2(2分)     (2分)
(7)(1分)(1分)

試題分析:首先確定A為碳元素,C為氧元素,根據(jù)“A、B、C”序數(shù)依次增大,確定B為氮元素,又根據(jù)“C與D形成的化合物中C顯正化合價(jià)”可確定D為非金屬性最強(qiáng)的氟元素,根據(jù)“E的M層電子數(shù)是N層電子數(shù)的4倍”確定E為鈣元素,最后根據(jù)“F除最外層原子軌道處于半充滿狀態(tài),其余能層均充滿電子”確定F為銅元素。
⑴根據(jù)C、N、O的非金屬性大小為C<N<O,則第一電離能大小為C<O<N(反常)。
⑵根據(jù)Cu原子的基態(tài)電子排布式為[Ar]3d104s1,則其外圍電子的排布式為3d104s1;金屬銅的堆積方式為面心立方最密堆積(丙圖)。
⑶N與O形成的四原子陰離子為NO3-,中心原子的?鍵數(shù)=3,孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=,則中心原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為3,屬于sp2雜化,由于無孤對(duì)電子,故其空間構(gòu)型為平面三角形。
⑷根據(jù)“增減找鄰、同族互換”原則可得CN的等電子體離子有C22- 或O22+。
⑸Cu(OH)2溶于氨水生成Cu(NH3)4(OH)2(強(qiáng)電解質(zhì)),據(jù)此可寫出該反應(yīng)的離子方程式。
⑹F與Ca形成的化合物為CaF2,在CaF2的晶胞中含有Ca:8×1/8+6×1/2=4(個(gè)),含F(xiàn):8×1=8(個(gè))則該晶胞的密度為,化簡(jiǎn)得a=cm。
⑺根據(jù)由碳、氮、氧、氫元素構(gòu)成的氰酸“分子內(nèi)含有叁鍵,所有原子最外層均已達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu),分子中也不含環(huán)狀結(jié)構(gòu)”可確定其結(jié)構(gòu)式為;同理可確定異氰酸(分子內(nèi)不含叁鍵)的結(jié)構(gòu)式為。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

以下有關(guān)原子半徑的敘述正確的是( 。
A.原子半徑的大小取決于原子核外電子層數(shù)
B.原子半徑的大小取決于核電荷數(shù)
C.同周期主族元素,原子半徑隨原子序數(shù)增大而增大
D.同主族元素,原子半徑隨原子序數(shù)減小而減小

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

(7分)W、X、Y、Z是短周期主族元素,它們的核電荷數(shù)依次增大。下表列出它們的性質(zhì)和結(jié)構(gòu):
元素編號(hào)
元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)
W
原子電子層數(shù)與核外電子數(shù)相等
X
原子核外L層上s能級(jí)的電子總數(shù)為p能級(jí)上的電子總數(shù)的一半
Y
元素的原子半徑在短周期中最大(除稀有氣體外)
Z
原子核外p能級(jí)上的電子總數(shù)等于s能級(jí)上的電子總數(shù)
(1)W和X按1︰1形成的化合物的電子式為   ,晶體Z屬于   晶體。
(2)Y元素的單質(zhì)在W和X按2︰1形成的化合物中反應(yīng)的離子方程式為。
(3)Z和CO2在一定條件下反應(yīng)的化學(xué)方程式為   。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

[化學(xué)一選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)
(1)原子序數(shù)小于36的X、Y、Z、W四種元素,其中X是元素周期表原子半徑最小的元素,Y原子基態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍,Z原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未   成對(duì)的電子,w的原子序數(shù)為29。回答下列問題:
①Y2X2分子中Y原子軌道的雜化類型為_________,1molY2X2含有鍵的數(shù)目為____    __________________.
②化合物ZX3的沸點(diǎn)比化臺(tái)物YX4的高,其主要原因是_____________。
③元素Y的一種氧化物與元素z的一種氧化物互為等電子體,元素z的這種氧化物的分子式是_____________。
(2)鐵元素能形成多種配合物,如:Fe(CO)x
①基態(tài)Fe3的M層電子排布式為___________________________。
②配合物Fe(CO)x的中心原子價(jià)電子數(shù)與配體提供電子數(shù)之和為18.則x=_________。常溫下呈液態(tài),熔點(diǎn)為-20.5℃,沸點(diǎn)為103℃,易溶于非極性溶劑,據(jù)此可判斷Fe(CO)x晶體屬于
(填晶體類型):
(3)O和Na形成的一種只含有離子鍵的離子化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,距一個(gè)陰離子周圍最近的所有陽離子為頂點(diǎn)構(gòu)成的幾何體為_________。已知該晶胞的密度為 g/cm,阿伏加德羅常數(shù)為,求晶胞邊長(zhǎng)a=________cm。(用含的計(jì)算式表示)

(4)下列有關(guān)的說法正確的是_____________。
A.第一電離能大小:S>P>Si
B.電負(fù)性順序:C<N<O<F
C.因?yàn)榫Ц衲蹸a0比KCl高,所以KCl比CaO熔點(diǎn)低
D.SO2與CO2的化學(xué)性質(zhì)類似,分子結(jié)構(gòu)也都呈直線型,相同條件下SO2的溶解度更大
E.分子晶體中,共價(jià)鍵鍵能越大,該分子晶體的熔沸點(diǎn)越高

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

原子序數(shù)依次增大的短周期元素a、b、c、d和e中,a的最外層電子數(shù)為其周期數(shù)的二倍;b和d的A2B型氫化物均為V型分子,c的+1價(jià)離子比e的﹣1價(jià)離子少8個(gè)電子.
回答下列問題:
(1)元素a為   ,c為   ;
(2)由這些元素形成的雙原子分子為   
(3)由這些元素形成的三原子分子中,分子的空間結(jié)構(gòu)屬于直線型的是   ,非直線型的是     (寫兩種);
(4)這些元素的單質(zhì)或由它們形成的AB型化合物中,其晶體類型屬于原子晶體的是     ,離子晶體的是    ,金屬晶體的是    ,分子晶體的是     ;(每空填一種)
(5)元素a和b形成的一種化合物與c和d形成的一種化合物發(fā)生的反應(yīng)常用于防毒面具,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為       

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:問答題

【選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】(15分)
VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化臺(tái)物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題:
(1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是      ;
 
(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離
子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>               ;
(3)Se原子序數(shù)為       ,其核外M層電子的排布式為                    ;
(4)H2Se的酸性比H2S         (填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型
                 ,SO32-離子的立體構(gòu)型為                   ;
(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7x l0-3和2.5x l0-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,
K2為1.2X10-2,請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:                          
                                                   ;
② H2SeO4比 H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:                                                  
                                                                              
(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示,其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm.密度為                    (列式并計(jì)算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為               pm(列示表示)

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

元素周期表第ⅤA族元素包括氮、磷、砷(As)、銻(Sb)等。這些元素?zé)o論在研制新型材料,還是在制作傳統(tǒng)化肥、農(nóng)藥等方面都發(fā)揮了重要的作用。請(qǐng)回答下列問題:
(1)N4分子是一種不穩(wěn)定的多氮分子,這種物質(zhì)分解后能產(chǎn)生無毒的氮?dú)獠⑨尫懦龃罅磕芰,能被?yīng)用于制造推進(jìn)劑或炸藥。N4是由四個(gè)氮原子組成的氮單質(zhì),其中氮原子采用的軌道雜化方式為sp3,該分子的空間構(gòu)型為       ,N—N鍵的鍵角為       。
(2)基態(tài)砷原子的最外層電子排布式為       
(3)電負(fù)性是用來表示兩個(gè)不同原子形成化學(xué)鍵時(shí)吸引鍵合電子能力的相對(duì)強(qiáng)弱,是元素的原子在分子中吸引共用電子對(duì)的能力。由此判斷N、P、As、Sb的電負(fù)性從大到小的順序是             。
(4)聯(lián)氨(N2H4)可以表示為H2N—NH2,其中氮原子采用的軌道雜化方式為       ,聯(lián)氨的堿性比氨的堿性       (填“強(qiáng)”或“弱”),其原因是                                                               。
寫出N2H4與N2O4反應(yīng)的化學(xué)方程式:                   。
(5)元素X與N同周期,且X的原子半徑是該周期主族元素原子半徑中最小的,X與Ca形成的化合物CaX2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:

CaX2的晶體類型是       ,一個(gè)晶胞中含有Ca的離子數(shù)為       ,含有X的離子數(shù)為       。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

請(qǐng)回答下列問題:
(1)N、Al、Si、Zn四種元素中,有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下:
電離能            I1       I2          I3         I4       …
In/kJ.mol-1     578      1817      2745      11578    …
 
則該元素是             (填寫元素符號(hào))。
(2)基態(tài)鍺(Ge)原子的電子排布式是           ,Ge的最高價(jià)氯化物分子式是             ,該元素可能的性質(zhì)或應(yīng)用有         ;
A.是一種活潑的金屬元素     B.其電負(fù)性大于硫 
C.其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料  D.其最高價(jià)氯化物的沸點(diǎn)低于其溴化物的沸點(diǎn)
(3)關(guān)于化合物,下列敘述正確的有         
A.分子間可形成氫鍵           
B.分子中既有極性鍵又有非極性鍵 
C.分子中有7個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵 
D.該分子在水中的溶解度大于2-丁烯
(4)NaF的熔點(diǎn)            的熔點(diǎn)(填>、=或<),其原因是             。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

LED照明是我國(guó)制造業(yè)為人類做出的一大貢獻(xiàn)。目前市售LED晶片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。已知鎵是鋁同族下一周期的元素。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖。試回答:

(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是__________。
(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為__________,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為__________。
(3)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是__________。(用氫化物分子式表示)
(4)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃時(shí)制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為__________。
(5)比較二者的第一電離能:As__________Ga(填“<”、“>”或“=”)。
(6)下列說法正確的是__________(填字母)。
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.GaP與GaAs互為等電子體
C.電負(fù)性:As>Ga
D.砷化鎵晶體中含有配位鍵

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