3．1998年.清華大學范守善小組成功地制備出直徑為3-50 nm.長度達m量級的氧化鎵半導體一維納米棒.使我國在國際上首次把氧化稼制備成一維納米晶體.50 nm= mm = m. 【查看更多】

 

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1998年，清華大學范守善小組成功地制備出直徑為3-50 nm，長度達μm量級的氧化稼半導體一維納米棒，使我國在國際上首次把氧化稼制備成一維納米晶體．50 nm=
5×10-5
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mm=
5×10-8
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m．

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1998年，清華大學范守善小組成功地制備出直徑為3-50 nm，長度達μm量級的氧化稼半導體一維納米棒，使我國在國際上首次把氧化稼制備成一維納米晶體．50 nm=    mm=    m．

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1998年，清華大學范守善小組成功地制備出直徑為3-50 nm，長度達μm量級的氧化稼半導體一維納米棒，使我國在國際上首次把氧化稼制備成一維納米晶體．50 nm=    mm=    m．

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1998年，清華大學范守善小組成功地制備出直徑為3-50 nm，長度達μm量級的氧化稼半導體一維納米棒，使我國在國際上首次把氧化稼制備成一維納米晶體．50 nm=    mm=    m．

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