硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

    （1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl₃)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

    ①寫(xiě)出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式        。

    ②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式           ；H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是                                 。

    （2）下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是         (填字母)。

      A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

      B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

      C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

      D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

      E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

（3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋          。

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl₃)還原法是當(dāng)前制備高純硅  的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①     寫(xiě)出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

②     整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式

________________________________________________________________________；

H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是

________________________________________________________________________。

(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是________(填字母)。

A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，      振蕩。寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋?zhuān)?/p>

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硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。
三氯甲硅烷(SiHCl₃)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①寫(xiě)出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式                                 。
②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式                                             ；
H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是                                 
                                                                            。
(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是        (填字母)。

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl₃)還原法是當(dāng)前
制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

寫(xiě)出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式_______________________________。整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式______________________________________________。H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是____________________________________________。
(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是________(填字母)。

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前

制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

寫(xiě)出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式_______________________________。整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式______________________________________________。H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是____________________________________________。

(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是________(填字母)。

A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋。____________________________________________。