16.如圖所示.有理想邊界的兩個勻強磁場.磁感應強度B=0.5T.兩邊界間距s=0.1m.一邊長 L=O.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成.總電阻R=O.4Ω.現使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ. (1)求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大。 (2)求整個過程中線框所產生的焦耳熱. (3)在坐標圖中畫出整個過程中線框a.b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示,有理想邊界的兩個勻強磁場,磁感應強度B=0.5T,兩邊界間距s=0.1m.一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4Ω。現使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。

1.求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大。

2.求整個過程中線框所產生的焦耳熱.

3.在坐標圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線.

 

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如圖所示,有理想邊界的兩個勻強磁場,磁感應強度B=0.5T,兩邊界間距s=0.1m.一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4Ω,F使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。

【小題1】求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大。
【小題2】求整個過程中線框所產生的焦耳熱.
【小題3】在坐標圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線.

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如圖所示,有理想邊界的兩個勻強磁場,磁感應強度B=0.5T,兩邊界間距s=0.1m.一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4Ω,F使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。

1.求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大。

2.求整個過程中線框所產生的焦耳熱.

3.在坐標圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線.

 

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如圖所示,有理想邊界的兩個勻強磁場,磁感應強度B=0.5T,兩邊界間距s=0.1m.一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4Ω.現使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ.
(1)求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大。
(2)求整個過程中線框所產生的焦耳熱.
(3)在坐標圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線.
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如圖所示,有理想邊界的兩個勻強磁場,磁感應強度B=0.5 T,兩邊界間距s=0.1 m.一邊長 L=0.2 m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4 Ω.現使線框以v=2 m/s 的速度從位置Ⅰ勻速運動到位置Ⅱ.

(1)求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大。

(2)求整個過程中線框所產生的焦耳熱;

(3)在坐標圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線.

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一、單選題(本題共5小題,每小題4分,共20分).

  題號

  1

  2

  3

  4

  5

  答案

  D

  A

  D

  C

  B

 

二、多選題(本題共5小題,每小題4分,共20分.每小題有多個選項正確。全部選對的得4分,選不

  全的得2分,有選錯或不答的得0分.).

  題號

  o

  7

  8

  9

    ,lO

    答案

  CD

  AD

  AB

  BCD

  AD

 

  三、實驗題(本題共2小題,共20分),

  11.(1)O.700(0.70l也正確)    (3分)

    (2)如右圖所示    (3分)

    (3)B端    (2分)

12.(1)   (5分)

    (2)F與v成正比    (3分)

    F與r成正比   (3分)

    (3)F=kvr   (1分)

    13。(1)可發(fā)射6種頻率的光子(3分)

    (2)   E=2.55eV    (3分)

    (3)E只大于銫的逸出功,故光子只有照射銫金屬才能發(fā)生光電效應.  (3分)

    代人數據解得El薩0.65eV    (4分)

14.(1)     0.5A     (2) E=4.92J  

15?(1)

 

(2)  2.0xlO3N  

  16.(1)   F=5x10-2N    (2)0.01J

 

17。(1)8R/3

(2)N=17mg/4+

    (3)若μ大于或等于3/4,則W=。若μ小于3/4,則W=mgR

18(1)V0,方向向右

(2)3mv02/8

(3)4mv02/3

(4)4mv02/27


同步練習冊答案