5p0´V1＝0.5p0´V2.V2＝3V1. 緩慢加熱.當(dāng)活塞剛碰到玻璃管頂部時(shí)為等壓過程: ＝ T2＝1.2 T1 (2)繼續(xù)加熱到1.8T1時(shí)為等容過程: ＝. p＝0.75p0 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

（選修3-3模塊）一定質(zhì)量的理想氣體初始狀態(tài)為（P0，V0），分別經(jīng)過三個(gè)不同的過程變到末狀態(tài)（P0，2V0）．
①等溫膨脹變?yōu)?V0，再等容升壓到（P0，2V0），總共吸收熱量為Q1；
②等壓膨脹到（P0，2V0），吸收的熱量為Q2；
③先等容降壓到0.5P0，再等壓膨脹到2V0，最后等容升壓到（P0，2V0），總共吸收熱量Q3；
則Q1、Q2、Q3的大小關(guān)系是（　　）

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（2013?湖北模擬）如圖所示，一根粗細(xì)均勻、內(nèi)壁光滑、豎直放置的玻璃管下端密封，上端封閉但留有一抽氣孔．管內(nèi)下部被活塞塞住一定量的氣體（可視為理想氣體），氣體溫度為T1．開始時(shí)，將活塞上方的氣體緩慢抽出，當(dāng)活塞上方的壓強(qiáng)達(dá)到p0時(shí)，活塞下方氣體的體積為v1，活塞上方玻璃管的容積為3.5v1，活塞因重力而產(chǎn)生的壓強(qiáng)為0.5p0．繼續(xù)將活塞上方抽成真空并密封，且整個(gè)抽氣過程中管內(nèi)氣體溫度始終保持不變，最后將密封的氣體緩慢加熱．求：
①活塞剛碰到玻璃管頂部時(shí)氣體的溫度；
②當(dāng)氣體溫度達(dá)到3T1時(shí)，氣體的壓強(qiáng)．

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（2008?海南）如圖，一根粗細(xì)均勻、內(nèi)壁光滑、豎直放置的玻璃管下端密封，上端封閉但留有一抽氣孔．管內(nèi)下部被活塞封住一定量的氣體（可視為理想氣體），氣體溫度為T1．開始時(shí)，將活塞上方的氣體緩慢抽出，當(dāng)活塞上方的壓強(qiáng)達(dá)到p0時(shí)，活塞下方氣體的體積為V1，活塞上方玻璃管的容積為2.6V1．活塞因重力而產(chǎn)生的壓強(qiáng)為0.5p0．繼續(xù)將活塞上方抽成真空并密封．整個(gè)抽氣過程中管內(nèi)氣體溫度始終保持不變．然后將密封的氣體緩慢加熱．求：
①活塞剛碰到玻璃管頂部時(shí)氣體的溫度；
②當(dāng)氣體溫度達(dá)到1.8T1時(shí)氣體的壓強(qiáng)．

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（2000?安徽）如圖所示，在固定的氣缸A和B中分別用活塞封閉有一定質(zhì)量的理想氣體，活塞面積之比SA：SB=1：2，兩活塞以穿過B的底部的剛性細(xì)桿相連，可沿水平方向無摩擦滑動(dòng)．兩個(gè)氣缸都不漏氣．初始時(shí)A、B中氣體的體積皆為V0，溫度皆為T0=300K．A中氣體壓強(qiáng)PA=1.5P0，P0是氣缸外的大氣壓強(qiáng)，現(xiàn)對(duì)A加熱，使其中氣體的壓強(qiáng)升到PA=2.0P0，同時(shí)保持B中氣體的溫度不變求此時(shí)A中氣體溫度TA′．

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如圖所示，在平行板電容器的兩板之間，存在相互垂直的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B1=0.40T，方向垂直紙面向里，電場(chǎng)強(qiáng)度E=2.0×105V/m，PQ為板間中線．緊靠平行板右側(cè)邊緣xOy坐標(biāo)系的第一象限內(nèi)，有垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B2=0.25T，磁場(chǎng)邊界AO和y軸的夾角∠AOy=45°．一束帶電量q=8.0×10-19C的同位素正離子從P點(diǎn)射入平行板間，沿中線PQ做直線運(yùn)動(dòng)，穿出平行板后從y軸上坐標(biāo)為（0，0.2m）的Q點(diǎn)垂直y軸射入磁場(chǎng)區(qū)，離子通過x軸時(shí)的速度方向與x軸正方向夾角在45°~90°之間，不計(jì)離子重力，求：

（1）離子運(yùn)動(dòng)的速度為多大？

（2）x軸上被離子打中的區(qū)間范圍？

（3）離子從Q運(yùn)動(dòng)到x軸的最長時(shí)間？

（4）若只改變AOy區(qū)域內(nèi)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小，使離子都不能打到x軸上，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B2´應(yīng)滿足什么條件？

 

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