2P+3Cl22PCl3(Cl2不足) , 2P+5Cl22 PCl5(Cl2充足) 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(2011?丹東模擬) 化學一一選修物質結構與性質
已知A、B、C、D都是元素周期表中前36號的元素,它們的原子序數(shù)依次增大.A原子核外部分電子排布式為:NsnNpn;B原子核外2P軌道有3個未成對電子:C原子核外S能級電子總數(shù)和P能級電子總數(shù)相同,且P能級成對電子數(shù)等于未成對電子數(shù):D原子核外M層全充滿,N層只有1個電子.
請回答:
(1)B元素外圍電子排布圖為:
2s22p3
2s22p3

(2)A、B、C的第一電離能由大到小順序為
N>O>C
N>O>C
,電負性由大到小順序為
O>N>C
O>N>C
(用元素符號回答).
(3)B和C兩元素形成的陰離子BC-3中B的雜化類型為
sp2
sp2
,空間構型為
平面三角形
平面三角形

(4)與BC-3互為等電子體且含有A、C兩元素的微粒是
CO32-
CO32-
.(寫化學式)
(5)比較A、B的氫化物在水中溶解度大小并說明原因
溶解性:NH3>CH4,因為NH3是極性分子,且NH3與水分子形成氫鍵更易發(fā)生化學反應;CH4是非極性分子,根據(jù)相似相溶原理可知溶解性NH3>CH4
溶解性:NH3>CH4,因為NH3是極性分子,且NH3與水分子形成氫鍵更易發(fā)生化學反應;CH4是非極性分子,根據(jù)相似相溶原理可知溶解性NH3>CH4

(6)D元素基態(tài)原子電子排布
1s22s22p63s23p63d104s1
1s22s22p63s23p63d104s1
,該元素單質形成的晶體晶胞如圖所示,則D元素單質的堆積方式為
面方立方最密堆積
面方立方最密堆積
,已知D原子半徑為r,相對原子質量為Mr,則D元素單質的密度可表示為
Mr
4
2
r
3
Mr
4
2
r
3
.(用NA表示阿伏加德羅常數(shù))

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精英家教網(wǎng)原子序數(shù)小于36的X、Y、Z、W四種元素,其中X原子基態(tài)時2p原子軌道上有3個未成對電子,Y原子基態(tài)時最外層電子數(shù)是其內層電子數(shù)的3倍,Z元素的最高價氧化物的水化物的酸性最強,W的原子序數(shù)為30.
(1)元素W的電子排布式為
 

(2)X、Y與氫元素形成的化合物XH2-YH中采用sp3雜化的原子有
 
,1mol XH2-YH中含有σ鍵的數(shù)目為
 

(3)ZO4-離子的空間構型為
 
,與它互為等電子體的離子有
 

(4)元素W的一種硫化物晶體的晶胞結構如右上圖所示,該硫化物的化學式是
 
.元素W的氫氧化物可溶于氨水中,生成和銅氨配離子相同配位數(shù)的離子,寫出該反應的離子方程式:
 

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下列各組表述中,兩個微粒不屬于同種元素原子的是( 。

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【化學選修3物質結構與性質】已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42.X元素原子的4p軌道上有3個未成對電子,Y元素原子的最外層2p軌道上有2個未成對電子.X跟Y可形成化合物X2Y3,Z元素可以形成負一價離子.請回答下列問題:
(1)X元素原子基態(tài)時的電子排布式為
 
,該元素的符號是
 

(2)Y元素原子的電子軌道表示式為
 
,元素X與Y的電負性比較:X
 
Y(填“>”或“<”).
(3)X與Z可形成化合物XZ3,該化合物的空間構型為
 

(4)由元素X與鎵元素組成的化合物A為第三代半導體.
已知化合物A的晶胞結構如圖所示.(黑球位于立方體內,白球位于立方體頂點和面心)
精英家教網(wǎng)
請寫出化合物A的化學式
 
:化合物A可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反應制得,反應的化學方程式為
 

(5)已知(CH33Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為
 

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現(xiàn)有部分前36號元素的性質或原子結構如下表
元素編號 元素性質或原子結構
R 基態(tài)原子的最外層有3個未成對電子,次外層有2個電子
S 單質能與水劇烈反應,所得溶液呈弱酸性
T 基態(tài)原子3d軌道上有1個電子
X
(1)R元素的第一電離能要大于其同周期相鄰的元素,原因是
原子2p軌道半充滿,所以能量低,較穩(wěn)定
原子2p軌道半充滿,所以能量低,較穩(wěn)定

(2)S元素的常見化合價為
-1
-1
,原因是
F的電負性最強,只能得電子且得一個電子后形成相對穩(wěn)定結構
F的電負性最強,只能得電子且得一個電子后形成相對穩(wěn)定結構

(3)T元素的原子N能層上電子數(shù)為
2
2

(4)X的核外電子排布圖違背了
能量最低原理
能量最低原理
.用X單質、堿金屬鹽及堿土金屬鹽等可以做成焰火.燃放時,焰火發(fā)出五顏六色的光,請用原子結構的知識解釋發(fā)光的原因:
電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時以光子的形式釋放能量
電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時以光子的形式釋放能量

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