16分）如圖甲所示，空間存在一垂直紙面向里的水平磁場(chǎng)，磁場(chǎng)上邊界OM水平，以O(shè)點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)，OM為x軸，豎直向下為y軸，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小在x方向保持不變、y軸方向按B＝ky變化，k為大于零的常數(shù)。一質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框abcd從圖示位置靜止釋放，運(yùn)動(dòng)過程中線框經(jīng)絡(luò)在同一豎直平面內(nèi)，當(dāng)線框下降h₀（h₀＜L）高度時(shí)達(dá)到最大速度，線框cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)開始做勻速運(yùn)動(dòng)，重力加速度為g。求：

（1）線框下降h₀高度時(shí)速度大小v₁和勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)速度大小v₂；

（2）線框從開始釋放到cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中產(chǎn)生的電能ΔE；

（3）若將線框從圖示位置以水平向右的速度v₀拋出，在圖乙中大致畫出線框上a點(diǎn)的軌跡。

16分）如圖甲所示，空間存在一垂直紙面向里的水平磁場(chǎng)，磁場(chǎng)上邊界OM水平，以O(shè)點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)，OM為x軸，豎直向下為y軸，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小在x方向保持不變、y軸方向按B＝ky變化，k為大于零的常數(shù)。一質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框abcd從圖示位置靜止釋放，運(yùn)動(dòng)過程中線框經(jīng)絡(luò)在同一豎直平面內(nèi)，當(dāng)線框下降h₀（h₀＜L）高度時(shí)達(dá)到最大速度，線框cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)開始做勻速運(yùn)動(dòng)，重力加速度為g。求：
（1）線框下降h₀高度時(shí)速度大小v₁和勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)速度大小v₂；
（2）線框從開始釋放到cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中產(chǎn)生的電能ΔE；
（3）若將線框從圖示位置以水平向右的速度v₀拋出，在圖乙中大致畫出線框上a點(diǎn)的軌跡。

16分）如圖甲所示，空間存在一垂直紙面向里的水平磁場(chǎng)，磁場(chǎng)上邊界OM水平，以O(shè)點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)，OM為x軸，豎直向下為y軸，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小在x方向保持不變、y軸方向按B＝ky變化，k為大于零的常數(shù)。一質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框abcd從圖示位置靜止釋放，運(yùn)動(dòng)過程中線框經(jīng)絡(luò)在同一豎直平面內(nèi)，當(dāng)線框下降h₀（h₀＜L）高度時(shí)達(dá)到最大速度，線框cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)開始做勻速運(yùn)動(dòng)，重力加速度為g。求：

（1）線框下降h₀高度時(shí)速度大小v₁和勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)速度大小v₂；

（2）線框從開始釋放到cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中產(chǎn)生的電能ΔE；

（3）若將線框從圖示位置以水平向右的速度v₀拋出，在圖乙中大致畫出線框上a點(diǎn)的軌跡。

（08年西南師大附中月考）(16分)如圖是放置在豎直平面內(nèi)游戲滑軌的模擬裝置，滑軌由四部分粗細(xì)均勻的金屬桿組成：水平直軌AB，半徑分別為R₁ =1.0m和R₂ = 3.0m的弧形軌道，傾斜直軌CD長(zhǎng)為L = 6m且表面粗糙，動(dòng)摩擦因數(shù)為μ =，其余部分表面光滑，AB、CD與兩圓形軌道相切．現(xiàn)有甲、乙兩個(gè)質(zhì)量均為m = 2kg的小球穿在滑軌上，甲球靜止在B點(diǎn)，乙球正以v₀  = 10m/s的初速度水平向左運(yùn)動(dòng)如圖所示．兩球碰撞無能量損失。已知θ =37°，（取g=10m/s²，sin37°=0.6，cos37°= 0.8）求：

(1) 求乙球與甲球相碰后，甲球的速度；

(2) 甲球第一次通過圓O₂的最低點(diǎn)F處時(shí)對(duì)軌道的壓力大小；

(3) 判斷甲球是否能再一次與乙球相撞，若能則求相撞前甲球的速度。