如測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖，設(shè)法使某有機化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器中，使它受到電子束轟擊，失去一個電子變成為正一價的分子離子，分子離子從狹縫s₁以很小的速度進入電壓為U的加速電場區(qū)（初速不計），加速后，再通過狹縫s₂、s₃射入磁感強度為B的勻強磁場，方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ，最后，分子離子打到感光片上，形成垂直于紙面且平行于狹縫s₃的細線，若測得細線到狹縫s₃的距離為d，
（1）導(dǎo)出分子離子的質(zhì)量m的表達式
（2）根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機化合物的結(jié)構(gòu)簡式，若某種含C、H和鹵素的化合物的M
為48，寫出其結(jié)構(gòu)簡式
（3）現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物，測得兩個M值，分別為64和66．試說明原因，并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡式．
在推測有機化合物的結(jié)構(gòu)時，可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表：

元 素	H	C	F	Cl	Br
含量較多的同位互的質(zhì)量數(shù)	1	12	19	35，37	79，81

圖所示是測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖，設(shè)法使某有機化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中，使它受到電子束轟擊，失去一個電子變成為正一價的分子離子，分子離子從狹縫S₁以很小的速度進入電壓為U的加速電場區(qū)（初速不計），加速后，再通過狹縫S₂、S₃射入磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場，方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ．最后，分子離子打到感光片上，形成垂直于紙面且平行于狹縫S₂的細線，若測得細線到狹縫S₃的距離為d．

 

　�。�1）導(dǎo)出分子、離子的質(zhì)量m的表達式．

 

　�。�2）根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機化合物的結(jié)構(gòu)簡式，若某種含C、H和鹵素的化合物的M為48，寫出其結(jié)構(gòu)簡式．

 

　�。�3）現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物，測得兩個M值，分別為64和66，試說明原因，并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡式．在推測有機化合物的結(jié)構(gòu)時，可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表：

元素	H	C	F	C1	Br
含量較多的同 位素的質(zhì)量數(shù)	1	12	19	35，37	79，81

 

圖所示是測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖，設(shè)法使某有機化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中，使它受到電子束轟擊，失去一個電子變成為正一價的分子離子，分子離子從狹縫S₁以很小的速度進入電壓為U的加速電場區(qū)（初速不計），加速后，再通過狹縫S₂、S₃射入磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場，方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ．最后，分子離子打到感光片上，形成垂直于紙面且平行于狹縫S₂的細線，若測得細線到狹縫S₃的距離為d．

 

　�。�1）導(dǎo)出分子、離子的質(zhì)量m的表達式．

 

　�。�2）根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機化合物的結(jié)構(gòu)簡式，若某種含C、H和鹵素的化合物的M為48，寫出其結(jié)構(gòu)簡式．

 

　　（3）現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物，測得兩個M值，分別為64和66，試說明原因，并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡式．在推測有機化合物的結(jié)構(gòu)時，可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表：

元素	H	C	F	C1	Br
含量較多的同 位素的質(zhì)量數(shù)	1	12	19	35，37	79，81