【題目】如圖(a)所示，在光滑水平面上放置一質(zhì)量為1 kg的單匝均勻正方形銅線框，線框邊長(zhǎng)為0.1m。在虛線區(qū)域內(nèi)有豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為T�，F(xiàn)用恒力F拉線框，線框到達(dá)1位置時(shí)，以速度v0＝3 m/s進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)并開始計(jì)時(shí)。在t＝3 s時(shí)刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng)。此過程中v－t圖像如圖(b)所示，那么

A. t＝0時(shí)刻線框右側(cè)邊兩端MN間的電壓為0.75 V

B. 恒力F的大小為0.5 N

C. 線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間的速度大小為3 m/s

D. 線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間的速度大小為1 m/s

【答案】AB

【解析】設(shè)每邊電阻為r，在剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)MN間的電壓為，A正確；線框在完全進(jìn)入磁場(chǎng)后，由于穿過線圈的磁通量沒有發(fā)生變化，沒有感應(yīng)電流產(chǎn)生，故此時(shí)線框只受拉力F作用，做勻加速直線運(yùn)動(dòng)，即對(duì)應(yīng)（b）圖中1~3s過程，所以，B正確；由b圖象看出，在t=3s時(shí)刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)與線框進(jìn)入時(shí)速度相同，則線框出磁場(chǎng)與進(jìn)磁場(chǎng)運(yùn)動(dòng)情況完全相同，則知線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度與t=2s時(shí)刻的速度相等，即為2m/s，故C D錯(cuò)誤．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】下列幾幅圖的有關(guān)說法中正確的是（ ）

A．原子中的電子繞原子核高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，運(yùn)行軌道的半徑是任意的

B．少數(shù)α粒子發(fā)生了較大偏轉(zhuǎn)，是由于原子的正電荷和絕大部分質(zhì)量集中在一個(gè)很小的核上

C．光電效應(yīng)實(shí)驗(yàn)說明了光具有粒子性

D．射線甲由α粒子組成，每個(gè)粒子帶兩個(gè)單位正電荷

E．鏈?zhǔn)椒磻?yīng)屬于重核的裂變

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】在如圖所示的電路中，E為電源，電源內(nèi)阻為r，L為小燈泡(其燈絲電阻可視為不變)，V為理想電壓表，R1R2為定值電阻，R3為滑動(dòng)變阻器，將滑動(dòng)變阻器的滑片向上移動(dòng)，則(　　)

A. 電壓表的示數(shù)變大

B. 小燈泡消耗的功率變小

C. 通過R2的電流變小

D. 電源的內(nèi)耗電壓變大

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，質(zhì)量為m、總電阻為R、邊長(zhǎng)為L的正方形單匝導(dǎo)線框ABCD靜止在光滑水平面上，線框右側(cè)某處有一左邊界平行于AD、范圍足夠大的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B0，方向垂直于紙面向里。距離磁場(chǎng)邊界L/2處有一與邊界平行的足夠大的擋板PQ．現(xiàn)用大小為F、水平向右的恒力作用在AD中點(diǎn)，線框勻速進(jìn)入磁場(chǎng)，與擋板碰撞后立即靜止，此時(shí)將水平恒力撤去。

（1）求AD到達(dá)磁場(chǎng)邊界時(shí)的速度大�。�

（2）求線框在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的過程中，AD邊產(chǎn)生的電熱以及流過AD邊的電量；

（3）若線框與擋板PQ碰撞后，擋板對(duì)線框產(chǎn)生一個(gè)大小為f的恒定吸引力，且磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度按B=B0+kt（k為大于零的常數(shù)）變化，則再經(jīng)過多長(zhǎng)時(shí)間線框可以掙脫PQ的束縛？（PQ不影響線框的導(dǎo)電性能且能）

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示為研究某種帶電粒子的裝置示意圖，粒子源射出的粒子束以一定的初速度沿直線射到熒光屏上的O點(diǎn)，出現(xiàn)一個(gè)光斑。在垂直于紙面向里的方向上加一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)后，粒子束發(fā)生偏轉(zhuǎn)，沿半徑為r的圓弧運(yùn)動(dòng)，打在熒光屏上的P點(diǎn)，然后在磁場(chǎng)區(qū)域再加一豎直向下，場(chǎng)強(qiáng)大小為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)，光斑從P點(diǎn)又回到O點(diǎn)，關(guān)于該粒子（不計(jì)重力），下列說法正確的是

A. 粒子帶負(fù)電

B. 初速度為

C. 比荷為

D. 比荷為

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】在“測(cè)定金屬絲的電阻率”的實(shí)驗(yàn)中，某同學(xué)進(jìn)行了如下測(cè)量：

(1)用毫米刻度尺測(cè)量接入電路中的被測(cè)金屬絲的有效長(zhǎng)度．測(cè)量3次，求出其平均值l．其中一次測(cè)量結(jié)果如圖甲所示，金屬絲的另一端與刻度尺的零刻線對(duì)齊，圖中讀數(shù)為　　　　cm．用螺旋測(cè)微器測(cè)量金屬絲的直徑，選不同的位置測(cè)量3次，求出其平均值d．其中一次測(cè)量結(jié)果如圖乙所示，圖中讀數(shù)為　　 　　mm．

(2)采用如圖所示的電路測(cè)量金屬絲的電阻。電阻的測(cè)量值比真實(shí)值　　　　(填“偏大”或“偏小”)．最后由公式ρ＝　　　　計(jì)算出金屬絲的電阻率(用直接測(cè)量的物理量表示)．

(3)請(qǐng)你根據(jù)圖所示電路圖在圖中進(jìn)行實(shí)物連線．(電流表選0.6 A量程，電壓表選3 V量程)

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】一玻璃立方體中心有一點(diǎn)狀光源。今在立方體的部分表面鍍上不透明薄膜，以致從光源發(fā)出的光線只經(jīng)過一次折射不能透出立方體。已知該玻璃的折射率為，求鍍膜的面積與立方體表面積之比的最小值。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】I.已知電流表的內(nèi)阻Rg=120 Ω,滿偏電流Ig=3 mA,要把它的量程改為0.6 A的大量程電流表,則應(yīng)_______聯(lián)一個(gè)_______Ω的電阻，改裝成3V的伏特表，則應(yīng)______聯(lián)一個(gè)_____Ω的電阻（保留3位有效數(shù)字）。

II.實(shí)際電壓表內(nèi)阻并不是無限大，可等效為理想電流表與較大的電阻的串聯(lián)，現(xiàn)要測(cè)量一只量程已知的電壓表的內(nèi)阻，器材如下：

①待測(cè)電壓表一只（量程3V，內(nèi)阻約3KΩ），

②電流表一只（量程3A，內(nèi)阻0.01Ω），

③電池組（電動(dòng)勢(shì)約3V，內(nèi)阻不計(jì)），

④滑動(dòng)變阻器一個(gè)，

⑤變阻箱（可以讀出電阻值，0-9999Ω）個(gè)，

⑥開關(guān)和導(dǎo)線若干．

某同學(xué)利用上面所給，進(jìn)行實(shí)驗(yàn)操作：

（1）為了更準(zhǔn)確的測(cè)出該電壓表的內(nèi)阻，請(qǐng)將設(shè)計(jì)的電路圖畫在線框內(nèi)。

（2）用你選擇合理電路進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)，閉合電鍵S，改變阻值，記錄需直接測(cè)量的物理量：讀數(shù)U和_______（填上文字和符號(hào)）；

（3）用合理電路進(jìn)行實(shí)驗(yàn)過程中，選擇下面哪個(gè)作坐標(biāo)軸，能作出相應(yīng)直線圖線（______）

A.U-I B.U- C. D.U-R

（4）設(shè)直線圖象斜率k、截距b，請(qǐng)寫出待測(cè)表達(dá)式Rv=______

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，一直角三角形金屬框，向左勻速地穿過一個(gè)方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)僅限于虛線邊界所圍的區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域的形狀與金屬框完全相同，且金屬框的下邊與磁場(chǎng)區(qū)域的下邊在一條直線上．若取順時(shí)針電流方向?yàn)楦袘?yīng)電流的正方向，從金屬框左邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)開始計(jì)時(shí)，則金屬框穿過磁場(chǎng)過程中的感應(yīng)電流隨時(shí)間變化的圖象是

A.

B.

C.

D.

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