(2010?浙江模擬)有一xOy平面,在x<0的空間內(nèi),存在場強為E、與 y軸成θ角的勻強電場,如圖所示.在第Ⅲ象限某處有質(zhì)子源s,以某一初速度垂直于電場的方向射出質(zhì)量為m、電荷量為q的質(zhì)子.初速度的延長線與x軸的交點P的坐標為(-d,0),質(zhì)子射出電場時恰經(jīng)過坐標原點O,并沿x軸正向進入x>0區(qū)域.在x>0一側(cè)有邊界為圓形的勻強磁場,磁感應(yīng)強度為B,方向垂直于xOy平面向外,邊界某處與y軸相切.質(zhì)子進入磁場被偏轉(zhuǎn),在射出磁場后垂直于電場方向回到x<0的區(qū)域.
(1)試求出質(zhì)子的初速度v0,并確定質(zhì)子源s位置的坐標.
(2)圓形磁場的最小半徑r.
(3)質(zhì)子從射入磁場到再次回到x<0的電場區(qū)域所經(jīng)歷的時間t.
分析:(1)粒子垂直射入電場,在電場中偏轉(zhuǎn)做類平拋運動,畫出粒子的運動軌跡,根據(jù)平拋運動的相關(guān)規(guī)律即可求解初速度,根據(jù)幾何關(guān)系可求得質(zhì)子源s位置的坐標;
(2)設(shè)質(zhì)子在磁場中運動軌跡的半徑為R,畫出粒子的運動軌跡如圖所示,則根據(jù)幾何關(guān)系及向心力公式求得半徑r;
(3)先根據(jù)周期公式求出在磁場中運動的時間,粒子從磁場中出來到射進電場的過程中做勻速直線運動,結(jié)合幾何關(guān)系即可求解此過程的時間,總時間等于兩段時間之和.
解答:解:(1)設(shè)質(zhì)子在電場中的運動時間為t1,粒子垂直射入電場,在電場中偏轉(zhuǎn)做類平拋運動,畫出粒子的運動軌跡,根據(jù)平拋運動的推論可知,速度方向的反向延長線通過水平位移的中點,則
dcosθ=
1
2
v0t1
tanθ=
qE
m
t
1
v0

解得:v0=
2qEd(cosθ)2
msinθ

根據(jù)幾何關(guān)系得:
xs=-d[1+(cosθ)2]
ys=-dsinθcosθ
質(zhì)子源s位置的坐標為(-d[1+(cosθ)2],-dsinθcosθ).
(2)設(shè)質(zhì)子在磁場中運動軌跡的半徑為R,畫出粒子的運動軌跡如圖所示,
則根據(jù)幾何關(guān)系有:
r=Rcos
θ
2

Bqv=
mv2
R
,
v=
v0
cosθ
=
2qEd
msinθ

解得:
r=
1
B
2Edm
qsinθ
cos
θ
2

(3)設(shè)在磁場中運動的時間為t2,從出磁場到y(tǒng)軸的時間為t3,則
t=t2+t3
其中t2=
π-θ
T=
(π-θ)m
Bq
    
 t3=
r+rsin
θ
2
vcosθ
=
m(1+sin
θ
2
)
qBcosθ
cos
θ
2

所以t=t2+t3=
m
qB
[π-θ+
(1+sin
θ
2
)cos
θ
2
cosθ
]

答:(1)質(zhì)子的初速度v0
2qEd(cosθ)2
msinθ
,質(zhì)子源s位置的坐標為(-d[1+(cosθ)2],-dsinθcosθ).
(2)圓形磁場的最小半徑r為
1
B
2Edm
qsinθ
cos
θ
2

(3)質(zhì)子從射入磁場到再次回到x<0的電場區(qū)域所經(jīng)歷的時間t為
m
qB
[π-θ+
(1+sin
θ
2
)cos
θ
2
cosθ
]
點評:本題是帶電粒子在組合場中運動的問題,粒子垂直射入電場,在電場中偏轉(zhuǎn)做類平拋運動,在磁場中做勻速圓周運動,要求同學們能畫出粒子運動的軌跡,結(jié)合幾何關(guān)系求解,知道半徑公式及周期公式,難度較大.
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設(shè)物體上升至h高處動能與重力勢能相等
1
2
mv2=mgh  ①
上升至h處由動能定理-mgh-Ffh=
1
2
mv2-
1
2
mv02
上升至最高點H處由動能定理-mgh-Ffh=0-
1
2
mv02
聯(lián)立以上三式,并代入數(shù)據(jù)解得h=8.9m處動能與重力勢能相等.
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Ed24U
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