如圖1所示,在豎直向下的足夠?qū)拸V的xOy平面中,每隔d的區(qū)域內(nèi)就有一段d 的區(qū)域內(nèi)存在豎直向上的勻強(qiáng)電場和垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(電場強(qiáng)度為E,磁感強(qiáng)度為B=0.1T,d=0.1m)有一帶電量為q=+2.0×10-10C,質(zhì)量為m=1.1×10-11kg的帶電粒子從O點(diǎn)自由下落,且qE=mg。
(1) 粒子剛穿出第一個(gè)有電場和磁場分布的區(qū)域時(shí),其速度的水平分量vx為多大?
(2)如圖2所示,粒子穿過其中任意一個(gè)有電場和磁場分布的區(qū)域時(shí),其速度的水平分量的變化量△vx為多大?
(3)求粒子到達(dá)第幾個(gè)有電場和磁場分布的區(qū)域時(shí),帶電粒子不能從該區(qū)域的下方射出來?
(1) 0.18m (2) 0.18m(3) 粒子不能穿過第61個(gè)有電場和磁場的區(qū)域
(1)(6分)
如上圖,設(shè)粒子剛進(jìn)入第一個(gè)有電場和磁場分布的區(qū)域時(shí)速度為v,由于qE=mg,所以粒子在里面作勻速圓周運(yùn)動,設(shè)出第一個(gè)區(qū)域時(shí)與水平方向夾角為θ,則:
vx=vcosθ 又 即 代入得 vx===0.18m
(2)(7分)設(shè)粒子進(jìn)入任意一個(gè)有電場和磁場分布的區(qū)域時(shí)速度為v,粒子作勻速圓周運(yùn)動,設(shè)進(jìn)入?yún)^(qū)域時(shí)與水平方向夾角為α,出區(qū)域時(shí)與水平方向夾角為β,則:
; 又
得==0.18m
(3)(7分)設(shè)剛好能從第n個(gè)有磁場和電場的區(qū)域內(nèi)射出(或不射出)
由能量關(guān)系有
在最低點(diǎn),速度水平,即
則
故粒子不能穿過第61個(gè)有電場和磁場的區(qū)域
注意:此題也可以用微元的思想
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A、先變小后變大 B、先變大后不變
C、先變小后不變 D、先變大后變小
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