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一塊N型半導體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示。已知其單位體積內的電子數為n、電阻率為ρ、電子電荷量e.將此元件放在勻強磁場中，磁場方向沿Z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I。
(1)此元件的CC/兩個側面中，哪個面電勢高？
(2)試證明在磁感應強度一定時，此元件的CC/ 兩個側面的電勢差與其中的電流成正比
(3)磁強計是利用霍爾效應來測量磁感應強度B 的儀器。其測量方法為：將導體放在勻強磁場之中，用毫安表測量通以電流I，用毫伏表測量C、C/間的電壓U CC’， 就可測得B。若已知其霍爾系數。并測得U CC’=0.6mV,I=3mA。試求該元件所在處的磁感應強度B的大小。

解：(1) 較高 （2）假設定向移動速度為v，有 I=q/t q=nebdvt 可得 I=nebdv穩(wěn)定時有：Bev=e U CC’/b 可得 U CC’= I 式 中各量均為定值 ，所以側面的電勢差與其中的電流成正比 （3）由上可知B= 代入得：B=0.02T
練習冊系列答案
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科目：高中物理 來源： 題型：

（2007?蘇州模擬）一塊N型半導體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示．已知其單位體積內的電子數為n、電阻率為ρ、電子電荷量e．將此元件放在勻強磁場中，磁場方向沿Z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I．
（1）此元件的CC′兩個側面中，哪個面電勢高？
（2）試證明在磁感應強度一定時，此元件的CC′兩個側面的電勢差與其中的電流成正比
（3）磁強計是利用霍爾效應來測量磁感應強度B 的儀器．其測量方法為：將導體放在勻強磁場之中，用毫安表測量通以電流I，用毫伏表測量C、C，間的電壓U CC′，就可測得B．若已知其霍爾系數k=
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=10mV/mA?T．并測得UCC′=0.6mV，I=3mA．試求該元件所在處的磁感應強度B的大小．

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科目：高中物理 來源：2012-2013學年江蘇省沭陽縣高二下學期期中調研測試物理試卷（帶解析） 題型：計算題

一塊N型半導體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示。已知其單位體積內的電子數為n、電阻率為ρ、電子電荷量e，將此元件放在勻強磁場中，磁場方向沿z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I。

(1)此元件的CC/兩個側面中，哪個面電勢高？
(2)試證明在磁感應強度一定時，此元件的CC/ 兩個側面的電勢差與其中的電流成正比；
(3)磁強計是利用霍爾效應來測量磁感應強度B的儀器。其測量方法為：將導體放在勻強磁場之中，用毫安表測量通以電流I，用毫伏表測量C、C/間的電壓U， 就可測得B。若已知其霍爾系數，并測得U =0.6mV，I=3mA。試求該元件所在處的磁感應強度B的大小。

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科目：高中物理 來源：2014屆江蘇省沭陽縣高二下學期期中調研測試物理試卷（解析版） 題型：計算題

一塊N型半導體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示。已知其單位體積內的電子數為n、電阻率為ρ、電子電荷量e，將此元件放在勻強磁場中，磁場方向沿z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I。

(1)此元件的CC/兩個側面中，哪個面電勢高？

(2)試證明在磁感應強度一定時，此元件的CC/ 兩個側面的電勢差與其中的電流成正比；

(3)磁強計是利用霍爾效應來測量磁感應強度B的儀器。其測量方法為：將導體放在勻強磁場之中，用毫安表測量通以電流I，用毫伏表測量C、C/間的電壓U， 就可測得B。若已知其霍爾系數，并測得U =0.6mV，I=3mA。試求該元件所在處的磁感應強度B的大小。

 

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科目：高中物理 來源：2007-2008學年江蘇省蘇州市五市三區(qū)高三（上）教學調研物理試卷（解析版） 題型：解答題

一塊N型半導體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示．已知其單位體積內的電子數為n、電阻率為ρ、電子電荷量e．將此元件放在勻強磁場中，磁場方向沿Z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I．
（1）此元件的CC′兩個側面中，哪個面電勢高？
（2）試證明在磁感應強度一定時，此元件的CC′兩個側面的電勢差與其中的電流成正比
（3）磁強計是利用霍爾效應來測量磁感應強度B 的儀器．其測量方法為：將導體放在勻強磁場之中，用毫安表測量通以電流I，用毫伏表測量C、C，間的電壓U CC′，就可測得B．若已知其霍爾系數．并測得UCC′=0.6mV，I=3mA．試求該元件所在處的磁感應強度B的大�。�

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