【題目】帶有等量異號電荷，相距9cm的平行板A和B之間有一個勻強電場．電場強度E=1×104V/m，方向向下．電場中C點距B板3cm，D點距A板2cm．

（1）C、D兩點哪點電勢高？兩點的電勢差UCD等于多少？

（2）如果令B板接地（即電勢φB=0），則C和D的電勢φC和φD各是多少？

（3）如果令A板接地，則φC和φD各是多少？

【答案】(1)Ucd=400v；(2) (3)

【解析】(1)沿著電場線電勢降低，故D點的電勢大于C點的電勢；

UCD= -EdCD=-1×104V/m×0.04m=-400V

(2)如果令B板接地（即電勢φB=0）

則：φC=UCB=EdCB=1×104V/m×0.03m=300V

φD=UDB=EdDB=1×104V/m×0.07m=700V

(3)如果令A板接地，則：φC=UCA=-EdCA=-1×104V/m×0.06m=-600V

φD=UDA=-EdDA=-1×104V/m×0.02m=-200V

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】在如圖所示的絕緣水平面上，有兩個邊長為d=0.2m的銜接的正方形區(qū)域I、II，其中區(qū)域I中存在水平向右的大小為的勻強電場，區(qū)域II中存在豎直向上的大小為的勻強電場�，F(xiàn)有一可視為質(zhì)點的質(zhì)量為m=0.3kg的滑塊以的速度由區(qū)域I邊界上的A點進去電場，經(jīng)過一段時間滑塊從邊界上的D點離開電場（D點未畫出），滑塊帶有q=+0.1C的電荷量，滑塊與水平面之間的動摩擦因數(shù)為，重力加速度。求：

(1)D點距離A點的水平間距、豎直間距分別為多少？A、D兩點之間的電勢差為多少？

(2)滑塊在D點的速度應(yīng)為多大？

(3)僅改變區(qū)域II中電場強度的大小，欲使滑塊從區(qū)域II中的右邊界離開電場，則區(qū)域II中電場強度的取值范圍應(yīng)為多少？

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，在高h1=30m的光滑水平平臺上物塊p(可視為質(zhì)點)以初速度水平向右運動滑離平臺，并恰好沿光滑圓弧形軌道BC的B點的切線方向進入圓弧形軌道，E點的高度h2=15m，圓弧軌道的圓心0 與平臺等高，軌道最低點C的切線水平，并與地面上長為L的水平粗糙軌道CD平滑連接，物塊p沿軌道BCD運動并能進入半徑為R=10m的光滑豎直圓形軌道。己知物塊P與水平粗糙軌道CD的動摩擦因數(shù)μ=0.2。g取10m/s2。求：

(1)物塊p由A到B的運動時間；

(2)物塊p初速度的大�。�

(3)若要使物塊p能在半徑為R=10m的光滑圓形軌道內(nèi)運動此不脫離軌道/求L 應(yīng)滿足的條件。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】某同學(xué)利用如圖所示電路，測量一表盤有刻度但數(shù)值已模糊的靈敏電流計G的滿偏電流Ig及內(nèi)阻Rg；已知該電流計的滿偏電流約為300μA，內(nèi)阻Rg約幾百歐。實驗室提供器材如下:

電壓表V(量程3V，內(nèi)阻約為15kΩ)；

電阻箱R0(最大阻值為9999.9Ω)；

滑動變阻器R1(阻值0~5Ω，額定電流1.0A)；

電源E電動勢為4V(內(nèi)阻不計)；開關(guān)、導(dǎo)線。

實驗步驟如下：

I.當(dāng)電阻箱阻值為r1時，閉合開關(guān)，調(diào)節(jié)滑動變阻器，使電流計滿偏，記錄此時電壓表的示數(shù)U1

Ⅱ.當(dāng)電阻箱阻值為r2時，閉合開關(guān)，調(diào)節(jié)滑動變阻器，重新使電流計滿偏，記錄此時電壓表的示數(shù)U2

III.根據(jù)測量數(shù)據(jù)求出靈敏電流計的滿偏電流和內(nèi)阻。

請根據(jù)如上所述回答下列問題：

①在步驟I和Ⅱ中，閉合開關(guān)S前滑動變阻器的滑動觸片應(yīng)置于最_______端(填“左”或“右”)；

②實驗測得電流計內(nèi)阻Rg=________，滿偏電流Ig=_______。(用r1、r2、U1、U2表示)

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，扇形AOB為透明柱狀介質(zhì)的橫截面，折射率為，OM為∠AOB的角平分線，M為一點光源，從M發(fā)出的一束平行于OB的光線由C點折射后的折射光線平行于OM。光在真空中的速度為c，求：

①∠AOB的大�。�

②若OC的距離為L，求光在該透明介質(zhì)中的傳播時間。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】制作半導(dǎo)體時，需向單晶硅或其他晶體中摻入雜質(zhì)。單晶硅內(nèi)的原子是規(guī)則排列的，在兩層原子間有一定間隙，形成溝道，如圖所示。假設(shè)注入的雜質(zhì)是硼的正離子，若硼離子能沿溝道射入晶體內(nèi)，就叫做溝道離子。射入的離子不可能與溝道的縱軸（圖中虛線）完全平行，若偏離縱軸一定的角度，如圖那樣進入溝道時向上偏轉(zhuǎn)，則離子將受原子層原子核向下的斥力。一旦離子失去向上運動的速度，便在斥力的作用下朝反方向偏離。同樣道理，當(dāng)離子接近下面原子核時，又在斥力的作用下向上偏轉(zhuǎn)。于是，入射離子在溝道內(nèi)沿曲線前進。對于一定能量的離子，存在一個臨界的入射，一旦離子的入射角大于，入射離子將沖出溝道，不能成為溝道離子。下面說法正確的是( )

A. 入射角一定時，入射離子的動能越大，越容易成為溝道離子

B. 入射離子的動能一定時，入射角越小，溝道離子在溝道中運動時間越長

C. 入射離子在接近原子層時，原子核的斥力做負功，電勢能增大

D. 入射離子在趨于兩個原子層間的縱軸時動能和電勢能均減小

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖，xOy坐標(biāo)軸上有A（L,0）C（0, L）兩點．在△OCA區(qū)域內(nèi)有垂直于xOy平面向里的勻強磁場B．一群質(zhì)量為m、電荷量為q（q>0）的同種粒子（粒子間相互作用不計），同一時刻從OC邊以平行于x軸方向射入磁場．粒子射入磁場前間距均勻（極�。�、速度相同．從OC邊射出的粒子占粒子總數(shù)75%．不計重力．下列說法正確的是（ ）

A. 粒子在磁場中按順時針方向運動

B. 粒子在磁場中運動時間最長為

C. 粒子速度大小為

D. 當(dāng)粒子速度大小為 從OC邊射出的粒子占粒子總數(shù)50%

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】2017年4月，我國成功發(fā)射的“天舟一號”貨運飛船與“天宮二號”空間實驗室完成了首次交會對接，對接形成的組合體仍沿天宮二號原來的軌道（可視為圓軌道）運行．“天宮二號”到地球表面的距離約為393km。則下列說法正確的是

A. 組合體周期大于地球自轉(zhuǎn)周期

B. 組合體與“天宮二號”單獨運行相比，速率變大

C. 組合體的向心加速度小于地面重力加速度

D. 若實現(xiàn)交會對接，“天舟一號”先在比空間實驗室半徑小的軌道上減速，減速后飛船逐漸靠近空間實驗室，兩者速度接近時實現(xiàn)對接

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，有一水平方向的勻強電場，場強大小為900N/C，在電場內(nèi)一水平面上作半徑為10cm的圓，圓上取A、B兩點，AO沿E方向，BO⊥OA，另在圓心處放一電量為10﹣9C的正點電荷，則A處場強大小EA= N/C，B處的場強大小EB= N/C．

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