一個(gè)電子只在電場(chǎng)力作用下從a點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)的軌跡如圖中虛線所示，圖中一組平行實(shí)線可能是電場(chǎng)線也可能是等勢(shì)面，下列說法中正確的是
A．無論實(shí)線是電場(chǎng)線還是等勢(shì)面，a點(diǎn)的電勢(shì)都比b點(diǎn)的小
B．無論實(shí)線是電場(chǎng)線還是等勢(shì)面，電子在a點(diǎn)的電勢(shì)能都比b點(diǎn)的大
C．如果實(shí)線是等勢(shì)面，電子在a點(diǎn)的速率比b點(diǎn)的大
D．如果實(shí)線是等勢(shì)面，電場(chǎng)力對(duì)電子做負(fù)功
CD
考點(diǎn)：
專題：電場(chǎng)力與電勢(shì)的性質(zhì)專題．
分析：電場(chǎng)線密的地方電場(chǎng)的強(qiáng)度大，電場(chǎng)線疏的地方電場(chǎng)的強(qiáng)度小，電場(chǎng)力做正功，電勢(shì)能減小，電場(chǎng)力做負(fù)功，電勢(shì)能增加．
解答：解：A、B、根據(jù)電子的運(yùn)動(dòng)軌跡可知，若實(shí)線為電場(chǎng)線，可知電子受向右的電場(chǎng)力，由此可知電場(chǎng)線的方向向左，沿電場(chǎng)線的方向，電勢(shì)降低，所以a點(diǎn)的電勢(shì)比b點(diǎn)小，根據(jù)電子的運(yùn)動(dòng)軌跡可知，若實(shí)線為等勢(shì)面，因?yàn)殡妶?chǎng)線與等勢(shì)面垂直，故可知電子受的電場(chǎng)力向下，由此可知電場(chǎng)線的方向向上，沿電場(chǎng)線的方向，電勢(shì)降低，所以a點(diǎn)的電勢(shì)比b點(diǎn)高，所以AB錯(cuò)誤．
由以上的分析可知，如果實(shí)線是等勢(shì)面，電子受的電場(chǎng)力向下，所以電子在從A點(diǎn)到B點(diǎn)的過程中，電場(chǎng)力做負(fù)功，動(dòng)能減小，即電子在a點(diǎn)的速率比b點(diǎn)的大，所以CD正確．
故選CD．
點(diǎn)評(píng)：加強(qiáng)基礎(chǔ)知識(shí)的學(xué)習(xí)，掌握住電場(chǎng)線的特點(diǎn)，即可解決本題．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖，在一個(gè)粗糙絕緣水平面上，放置有兩個(gè)帶異種電荷的小物塊Ａ和Ｂ.將物塊Ａ固定，給物塊B一初速度v0，使它從M點(diǎn)向右遠(yuǎn)離A，下列情況可能發(fā)生的是

A. 物塊Ｂ—直向右運(yùn)動(dòng)，最后靜止，兩個(gè)物塊的電勢(shì)能逐漸增加
B. 物塊Ｂ先向右運(yùn)動(dòng)，后向左運(yùn)動(dòng)，最后靜止在M點(diǎn),兩個(gè)物塊的電勢(shì)能不變
C. 物塊B先向右運(yùn)動(dòng)，后向左運(yùn)動(dòng),最后靜止在M點(diǎn)左側(cè)，兩個(gè)物塊的電勢(shì)能減小
Ｄ.物塊B先向右運(yùn)動(dòng)，后向左運(yùn)動(dòng)，最后將與Ａ相碰

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖，空間有平行于紙面的勻強(qiáng)電場(chǎng)，一帶電量為-q的質(zhì)點(diǎn)(不計(jì)重力)在電場(chǎng)力和某恒力的作用下沿圖中虛線從靜止開始沿直線從M運(yùn)動(dòng)到N。已知力F與MN的夾角為θ，M、N間距為d，則  (     )
A．勻強(qiáng)電場(chǎng)可能與F方向相反
B．質(zhì)點(diǎn)由M運(yùn)動(dòng)到N的過程中，電勢(shì)能一定增加
C．M、N兩點(diǎn)的電勢(shì)差大小可能等于
D．勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)最小值為

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

下列關(guān)于電勢(shì)高低的判斷，正確的是
A．如果將負(fù)電荷從P點(diǎn)移到M點(diǎn)，電場(chǎng)力做負(fù)功，則電勢(shì)能增加，P點(diǎn)電勢(shì)較低
B．如果將負(fù)電荷從P點(diǎn)移到M點(diǎn)，電場(chǎng)力做負(fù)功，則電勢(shì)能增加，M點(diǎn)電勢(shì)較低
C．如果將正電荷從P點(diǎn)移到M點(diǎn)，電場(chǎng)力做負(fù)功，則電勢(shì)能增加，P點(diǎn)電勢(shì)較低
D．如果將正電荷從P點(diǎn)移到M點(diǎn)，電場(chǎng)力做負(fù)功，則電勢(shì)能增加，M點(diǎn)電勢(shì)較低

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

一電子僅受電場(chǎng)力作用，從高電勢(shì)處移動(dòng)到低電勢(shì)處，則
A．電場(chǎng)力對(duì)電子做正功
B．電子的電勢(shì)能減少
C．電子的動(dòng)能增加
D．電子的電勢(shì)能增加

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示是帶負(fù)電的點(diǎn)電荷-Q，P1、和P2為其電場(chǎng)中的兩點(diǎn)．若E1、E2為P1、P2兩點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度的大小，φ1.φ2為P1、P2兩點(diǎn)的電勢(shì)，則
A．E1>E2,φ1>φ2 B．E1>E2,φ1<φ2C．E1<E2,φ1>φ2D．E1<E2,φ1<φ2

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

在靜電場(chǎng)中，將一正電荷從a點(diǎn)移到b點(diǎn)，電場(chǎng)力做負(fù)功，則    (    )
A．b點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度一定比a點(diǎn)大
B．電場(chǎng)線方向一定從b指向a
C．b點(diǎn)的電勢(shì)一定比a點(diǎn)高
D．該電荷的動(dòng)能一定減小

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖，abcd為勻強(qiáng)電場(chǎng)中的四個(gè)點(diǎn)，它們正好是矩形的四個(gè)頂點(diǎn)，ab=cd=L，ad=bc=2L，電場(chǎng)線與矩形平面平行，已知a點(diǎn)電勢(shì)為20V，b點(diǎn)電勢(shì)為24V，d點(diǎn)電勢(shì)為12V，一個(gè)質(zhì)子從b點(diǎn)以V0的速度射入電場(chǎng)，入射方向的bc成45°，一段時(shí)間后經(jīng)過c點(diǎn)，不計(jì)質(zhì)子重力，下列判斷正確的是：
A．C點(diǎn)電勢(shì)為16V
B．場(chǎng)強(qiáng)方向由b指向d
C．質(zhì)子從b到c所用時(shí)間為
D．質(zhì)子從b運(yùn)動(dòng)到c，克服電場(chǎng)力做功為4eV

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

靜電在各種產(chǎn)業(yè)中有著重要的應(yīng)用，如靜電除塵、靜電復(fù)印等，所依據(jù)的基本原理幾乎都是讓帶電的物質(zhì)微粒在電場(chǎng)作用下奔向并吸附到電極上�，F(xiàn)有三個(gè)粒子a 、b、c 從P點(diǎn)向下射入由正、負(fù)電極產(chǎn)生的電場(chǎng)中，它們的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示，則
A．α帶負(fù)電荷，b帶正電荷，c不帶電荷
B．α帶正電荷，b不帶電荷，c帶負(fù)電荷
C．α帶負(fù)電荷，b不帶電荷，c帶正電荷
D．α帶正電荷，b帶負(fù)電荷，c不帶電荷

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