單匝閉合線框在勻強磁場中,繞垂直于磁場方向的轉(zhuǎn)軸勻速轉(zhuǎn)動.在轉(zhuǎn)動的過程中,線框中的最大磁通量為φm,最大感應(yīng)電動勢為Em,下列說法中錯誤的是(  )
A、當(dāng)穿過線框的磁通量為零時,線框中感應(yīng)電動勢也為零
B、當(dāng)穿過線框的磁通量減小時,線框中感應(yīng)電動勢也減小
C、當(dāng)穿過線框的磁通量等于0.5φm時,線框中感應(yīng)電動勢不等于0.5Em
D、線框轉(zhuǎn)動的角速度等于
Em
φm
分析:閉合線框在勻強磁場中,繞垂直于磁場方向的轉(zhuǎn)軸勻速轉(zhuǎn)動時,線圈產(chǎn)生的是正弦式交變電流,最大磁通量為φm=BS,最大感應(yīng)電動勢為Em=BSω.根據(jù)線圈與磁場方向的關(guān)系,判斷感應(yīng)電動勢的大小.
解答:解:A、當(dāng)穿過線框的磁通量為零時,線圈與磁場平行,線圈垂直切割磁感線,產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢最大,故A錯誤.
B、當(dāng)穿過線框的磁通量減小時,線圈與磁場方向的夾角減小,線圈有效的切割速度增大,感應(yīng)電動勢增大,故B錯誤.
C、設(shè)線圈與磁場方向的夾角為θ,則穿過線框的磁通量 φ=φmsinθ,感應(yīng)電動勢 E=Emcosθ
則當(dāng)φ=0.5φm時,θ=30°,E=Emcosθ=
3
2
Em,故C正確.
D、線圈產(chǎn)生的是正弦式交變電流,最大磁通量為φm=BS,最大感應(yīng)電動勢為Em=BSω.則有:ω=
Em
φm
,故D正確.
本題選錯誤的,故選:AB
點評:對于正弦交變電流產(chǎn)生的過程,要抓住兩個特殊位置進行分析理解:一是線圈與磁場垂直位置,磁通量最大,感應(yīng)電動勢為零;二是線圈與磁場平行位置,磁通量為零,感應(yīng)電流最大.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2008?北京)均勻?qū)Ь制成的單匝正方形閉合線框abcd,每邊長為L,總電阻為R,總質(zhì)量為m,將其置于磁感強度為B的水平勻強磁場上方h處,如圖所示.線框由靜止自由下落,線框平面保持在豎直平面內(nèi),且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行,當(dāng)cd邊剛進入磁場時.
(1)求cd兩點間的電勢差大;
(2)若此時線框加速度恰好為零,求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件.

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2013?永康市模擬)均勻?qū)Ь制成的單匝正方形閉合線框abcd,每邊長L=0.1m,總電阻R=0.1Ω,總質(zhì)量為m=0.1kg.將其置于磁感強度B=1.0T的水平勻強磁場上方h處,如圖所示.線框由靜止自由下落,線框平面保持在豎直平面內(nèi),且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行,取g=10m/s2
(1)當(dāng)cd邊剛進入磁場時,線框做勻速直線運動,求線框下落的高度h;
(2)線框進入磁場過程中的電功率P;
(3)若磁場的寬度等于L,從cd剛進入磁場到ab完全離開磁場的過程中,試在答題卷的坐標(biāo)紙中畫出cd兩點間的電勢差Ucd與時間的關(guān)系圖線,在圖象中注明關(guān)鍵點的數(shù)據(jù)(不要求書寫求解過程);
(4)為了減小下落的高度就能使線框剛進入磁場時就做勻速直線運動,三個同學(xué)各自提出了方案:
甲:用同種規(guī)格的導(dǎo)線,做成邊長為2L的單匝線框;
乙:用同種材料但粗一些的導(dǎo)線,做成邊長仍為L的單匝線框;
丙:用同種規(guī)格的導(dǎo)線,做成邊長仍為L的雙匝線框;
對上述三位同學(xué)的方案,請給出你的評價.

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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年江西省高三聯(lián)合考試?yán)砭C物理卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,由粗細均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質(zhì)量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區(qū),磁場區(qū)高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進入磁場區(qū).對此,下列說法中正確的是

A.線圈ab邊剛進入磁場時,感應(yīng)電流的方向為a→b→c→d→a        

B.線圈ab邊剛進入磁場時,a、b兩點間的電壓為

C.線圈在磁場以上,下落的高度為

D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

 

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,由粗細均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質(zhì)量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區(qū),磁場區(qū)高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進入磁場區(qū).對此,下列說法中正確的是

A.線圈ab邊剛進入磁場時,感應(yīng)電流的方向為abcda    

B.線圈ab邊剛進入磁場時,a、b兩點間的電壓為

C.線圈在磁場以上,下落的高度為

D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

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如圖所示,由粗細均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質(zhì)量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區(qū),磁場區(qū)高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進入磁場區(qū).對此,下列說法中正確的是

A.線圈ab邊剛進入磁場時,感應(yīng)電流的方向為a→b→c→d→a
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