【題目】中國“北斗”衛(wèi)星導航系統(tǒng)是我國自行研制的全球衛(wèi)星定位與通信系統(tǒng),是繼美國GPS系統(tǒng)和俄羅斯“格洛納斯”(GLONASS)系統(tǒng)之后第三個成熟的衛(wèi)星導航系統(tǒng)。系統(tǒng)由空間端、地面端和用戶端組成,其中空間端包括5顆地球同步衛(wèi)星和30顆非地球同步衛(wèi)星,以下說法正確的是( 。
A.這5顆地球同步衛(wèi)星的發(fā)射速度都大于第二宇宙速度
B.這5顆地球同步衛(wèi)星的運行周期與地球自轉(zhuǎn)周期不一定相等
C.這5顆地球同步衛(wèi)星運動的加速度大小一定相同
D.不同國家發(fā)射的地球同步衛(wèi)星必須運行在不同的軌道上
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【題目】一列簡諧橫波在某均勻介質(zhì)中沿x軸傳播,圖甲為t=2.5s時刻的波形圖,圖乙為x=3m處質(zhì)點a的振動圖象,則下列說法正確的是_______。
A.該波沿x軸正方向傳播
B.該波的傳播速度為8m/s
C.從t=2.5s時刻起,再過1.5s質(zhì)點a回到平衡位置
D.從t=2.5s時刻起,再過1.5s質(zhì)點a通過的路程為12cm
E.從t=2.5s時刻起,a、b、c三質(zhì)點中b最先回到平衡位置
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【題目】勻強電場的場強為40 N/C,在同一條電場線上有A、B兩點,把質(zhì)量為2×10-9kg、帶電荷量為-2×10-9C的微粒從A點移到B點,靜電力做了1.5×10-7J的正功.求:
(1)A、B兩點間的電勢差UAB;
(2)若微粒在A點具有與電場線同向的速度為10 m/s,在只有靜電力作用的情況下,求經(jīng)過B點的速度.
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【題目】如圖所示,水平傳送帶正以2m/s的速度運行,兩端水平距離l=8m,把一質(zhì)量m=2kg的物塊輕輕放到傳送帶的A端,物塊在傳送帶的帶動下向右運動,若物塊與傳送帶間的動摩擦因數(shù)μ=0.1,則把這個物塊從A端傳送到B端的過程中,不計物塊的大小,g取10m/s2,求摩擦力對物塊做功的平均功率?
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【題目】如圖,輕質(zhì)彈簧一端固定,另一端連接一小物塊,O點為彈簧在原長時物塊的位置。物塊由A點靜止釋放,沿粗糙程度相同的水平面向右運動,最遠到達B點,在從A到B的過程中,物塊( 。
A.加速度先減小后增大
B.經(jīng)過O點時的速度最大
C.所受彈簧彈力始終做正功
D.所受彈簧彈力做的功大于克服摩擦力做的功
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【題目】如圖,固定在同一水平面內(nèi)的兩根平行長直金屬導軌間距為d,其右端接有阻值為R的電阻,整個裝置處在豎直向上磁感應強度大小為B的磁場中。一質(zhì)量為m(質(zhì)量分布均勻)的導體桿ab垂直于導軌放置,且與兩導軌保持良好接觸,桿與導軌之間的動摩擦因數(shù)為,現(xiàn)桿在水平向左、垂直于桿的恒力F作用下從靜止開始沿導軌運動距離L時,速度恰好達到最大(運動過程中桿始終與導軌保持垂直)設(shè)桿接入電路的電阻為r,導軌電阻不計,重力加速度大小為g。則此過程( 。
A.桿的速度最大值為
B.流過電阻R的電量為
C.恒力F做的功與安培力做的功之和大于桿動能的變化量
D.恒力F做的功與摩擦力做的功之和等于桿動能的變化量
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【題目】如圖,直線a、b和c、d是處于勻強電場中的兩組平行線,M、N、P、Q是它們的交點,四點處的電勢分別為φM、φN、φP、φQ。一電子由M點分別運動到N點和P點的過程中,電場力所做的負功相等,則
A.直線a位于某一等勢面內(nèi),φM>φQ
B.直線c位于某一等勢面內(nèi),φM>φN
C.若電子由M點運動到Q點,電場力做正功
D.若電子由P點運動到Q點,電場力做負功
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【題目】一轉(zhuǎn)動裝置如圖所示,四根輕桿OA、OC、AB和CB與兩小球以及一小環(huán)通過鉸鏈連接,輕桿長均為l,球和環(huán)的質(zhì)量均為m,O端固定在豎直的輕質(zhì)轉(zhuǎn)軸上,套在轉(zhuǎn)軸上的輕質(zhì)彈簧連接在O與小環(huán)之間,原長為L,裝置靜止時,彈簧長為,轉(zhuǎn)動該裝置并緩慢增大轉(zhuǎn)速,小環(huán)緩慢上升.彈簧始終在彈性限度內(nèi),忽略一切摩擦和空氣阻力,重力加速度為g,求
(1)彈簧的勁度系數(shù)k;
(2)AB桿中彈力為零時,裝置轉(zhuǎn)動的角速度;
(3)彈簧長度從緩慢縮短為的過程中,外界對轉(zhuǎn)動裝置所做的功W.
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【題目】一定質(zhì)量的理想氣體從狀態(tài)A經(jīng)過狀態(tài)B變化到狀態(tài)C,其V–T圖像如圖所示。下列說法正確的是( 。
A.B→C的過程中,氣體一定放出熱量
B.B→C的過程中,氣體分子平均動能增加
C.A→B的過程中,氣體分子的密集程度變小
D.A→B的過程中,每個分子對器壁的平均撞擊力變大
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