【題目】如圖所示電路中，L 是一直流電阻可忽略不計(jì)的電感線圈，a、b 為 L 的左、右兩端點(diǎn)，A、B、C 為完全相同的三個(gè)燈泡，某時(shí)刻將開(kāi)關(guān) K 閉合，穩(wěn)定后三個(gè)燈泡均正常發(fā)光，之后又將開(kāi)關(guān) K斷開(kāi)。則下列說(shuō)法正確的是（ ）

A. 開(kāi)關(guān)閉合瞬間，A、B、C 燈同時(shí)變亮

B. 開(kāi)關(guān)斷開(kāi)瞬間，a 點(diǎn)電勢(shì)高于 b 點(diǎn)，B、C 燈閃亮后緩慢熄滅

C. 開(kāi)關(guān)斷開(kāi)瞬間，b 點(diǎn)電勢(shì)高于 a 點(diǎn)，B、C 燈閃亮后緩慢熄滅

D. 開(kāi)關(guān)斷開(kāi)瞬間，b 點(diǎn)電勢(shì)高于 a 點(diǎn)，B、C 燈緩慢熄滅

【答案】C

【解析】

A．開(kāi)關(guān)閉合瞬間，由于電感線圈會(huì)阻礙電流的增大，A燈泡支路電流逐漸變大，A燈泡緩慢變亮，A錯(cuò)誤

BCD．開(kāi)關(guān)斷開(kāi)瞬間，電感線圈要阻礙原電流的減小，產(chǎn)生與原電流方向相同的感應(yīng)電流，即線圈內(nèi)部從a流向b，所以b端電勢(shì)高；由于線圈直流電阻可忽略不計(jì)，所以感應(yīng)電流會(huì)大于原電流，導(dǎo)致流過(guò)B、C燈泡的電流比正常發(fā)光的電流大，所以B、C 燈閃亮后緩慢熄滅，BD錯(cuò)誤C正確

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖甲所示的演示實(shí)驗(yàn)中，A、B兩球同時(shí)落地，說(shuō)明__________，某同學(xué)設(shè)計(jì)了如圖乙所示的實(shí)驗(yàn)：將兩個(gè)斜滑道固定在同一豎直面內(nèi)，最下端水平，把兩個(gè)質(zhì)量相等的小鋼球，從斜面的同一高度由靜止同時(shí)釋放，滑道2與光滑水平板吻接，則他將觀察到的現(xiàn)象是__________，這說(shuō)明____________。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，在用DIS驗(yàn)證“玻意耳定律”的實(shí)驗(yàn)中，用一個(gè)帶刻度的注射器及計(jì)算機(jī)輔助系統(tǒng)來(lái)探究氣體的壓強(qiáng)和體積關(guān)系．

(1)實(shí)驗(yàn)中應(yīng)保持不變的狀態(tài)參量是________；

(2)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，下列說(shuō)法正確的________；

A．推拉活塞時(shí)，動(dòng)作要快，以免氣體進(jìn)入或漏出

B．推拉活塞時(shí)，手不可以握住整個(gè)注射器

C．必須測(cè)量所封閉氣體的質(zhì)量

D．在活塞上涂上潤(rùn)滑油，保持良好的密封性

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示的U﹣I圖象中，直線I為某電源的路端電壓與電流的關(guān)系，直線Ⅱ為某一電阻R的伏安特性曲線，用該電源直接與電阻R連接成閉合電路，由圖象可知（ ）

A. 電源的內(nèi)阻為0.5Ω

B. 電源的總功率為1.5W

C. 電源的輸出功率為1.5W

D. 電源內(nèi)部消耗功率為1.5W

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】在測(cè)定金屬的電阻率的實(shí)驗(yàn)中，某種待測(cè)材料金屬絲接入電路部分的長(zhǎng)度約為50cm，所用測(cè)量?jī)x器均已校準(zhǔn)。

（1）用螺旋測(cè)微器測(cè)量金屬絲的直徑，其中某一次測(cè)量結(jié)果如圖所示，其讀數(shù)應(yīng)為______mm（該值接近多次測(cè)量的平均值）。

（2）某實(shí)驗(yàn)小組用伏安法測(cè)金屬絲的電阻Rx，記錄實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如下表：

次數(shù)

1

2

3

4

5

6

7

U／V

0．10

0．30

0．70

1．00

1．50

1．70

2．30

I／A

0．02

0．06

0．16

0．22

0．34

0．46

0．52

由以上實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可知：

①本實(shí)驗(yàn)的電流表選用的是____、電壓表選用的是___、滑動(dòng)變阻器選用的是____（填寫(xiě)以下器材前的字母）。

A．電流表A1（0～100 mA，內(nèi)阻約為10 Ω）

B．電流表A2（0～0．6 A，內(nèi)阻約為0．1 Ω）

C．電壓表V1（0～3 V，內(nèi)阻約為3 kΩ）

D．電壓表V2（0～15 V，內(nèi)阻約為15 kΩ）

E．滑動(dòng)變阻器R1（0～1000 Ω，0．2 A）

F．滑動(dòng)變阻器R2（0～20 Ω，2 A）

②測(cè)量Rx是采用下圖中的____（填“甲”“乙”“丙”或“丁”）電路圖。

③可以估算出金屬絲電阻率約為____（填選項(xiàng)前的字母）。

A．1×10－2Ω·m

B．1×10－3Ω·m

C．1×10－6Ω·m

D．1×10－8Ω·m

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，輕質(zhì)彈簧的一端固定在墻上，另一端與質(zhì)量為m的物體A相連，A放在光滑水平面上，有一質(zhì)量與A相同的物體B，從高h處由靜止開(kāi)始沿光滑曲面滑下，與A相碰后一起將彈簧壓縮，彈簧復(fù)原過(guò)程中某時(shí)刻B與A分開(kāi)且沿原曲面上升．下列說(shuō)法正確的是（ ）

A. 彈簧被壓縮時(shí)所具有的最大彈性勢(shì)能為mgh

B. 彈簧被壓縮時(shí)所具有的最大彈性勢(shì)能為

C. B能達(dá)到的最大高度為

D. B能達(dá)到的最大高度為

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】在中美貿(mào)易戰(zhàn)中，中興的遭遇告訴我們，要重視芯片的自主研發(fā)工作，而芯片的基礎(chǔ)工作在于半導(dǎo)體的工藝。如圖所示，在半導(dǎo)體離子注入工藝中，初速度可忽略的磷離子P+和P3+，經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后，垂直進(jìn)入方向垂直紙面向里、寬度為D的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，其中離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ＝30°后從磁場(chǎng)右邊界射出。已知P+和P3+的質(zhì)量均為m，而電量分別為e和3e（e表示元電荷）。

（1）求勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小；

（2）求P3+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度φ。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】一列簡(jiǎn)諧橫波沿直線由A向B傳播，A、Ｂ相距０.45m，右圖是A處質(zhì)點(diǎn)的震動(dòng)圖像。當(dāng)A處質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到波峰位置時(shí)，B處質(zhì)點(diǎn)剛好到達(dá)平衡位置且向y軸正方向運(yùn)動(dòng)，這列波的波速可能是

A．4.5m/s B．3.0m/s C．1.5m/s D．0.7m/s

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】釷具有放射性，它能放出一個(gè)新的粒子而變?yōu)殓h，同時(shí)伴隨有γ射線產(chǎn)生，其方程為，釷的半衰期為24天．則下列說(shuō)法中正確的是( )

A. x為質(zhì)子

B. x是釷核中的一個(gè)中子轉(zhuǎn)化成一個(gè)質(zhì)子時(shí)產(chǎn)生的

C. γ射線是鏷原子核外電子躍遷放出的

D. 1g釷經(jīng)過(guò)120天后還剩0.2g釷

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