單匝閉合線(xiàn)框在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，繞垂直于磁場(chǎng)方向的轉(zhuǎn)軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)。在轉(zhuǎn)動(dòng)的過(guò)程中，線(xiàn)框中的最大磁通量為φm，最大感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為Em，下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是


  1. A.
    當(dāng)穿過(guò)線(xiàn)框的磁通量為零時(shí)，線(xiàn)框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)也為零
  2. B.
    當(dāng)穿過(guò)線(xiàn)框的磁通量減小時(shí)，線(xiàn)框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)也減小
  3. C.
    當(dāng)穿過(guò)線(xiàn)框的磁通量等于0.5φm時(shí)，線(xiàn)框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)不等于0.5Em
  4. D.
    線(xiàn)框轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度等于Em /φm
AB
試題分析：當(dāng)穿過(guò)線(xiàn)框的磁通量為零時(shí)，此時(shí)線(xiàn)圈平行于磁場(chǎng)，磁通量變化率最大，感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)最大，A錯(cuò)誤，感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)和磁通量大小無(wú)關(guān)，只和磁通量變化率有關(guān)，B錯(cuò)誤；C正確；最大感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為，最大磁通量，所以，故，D正確；
讓選錯(cuò)誤的；故選AB
考點(diǎn)：考查了交流電的產(chǎn)生
點(diǎn)評(píng)：本題就是考查學(xué)生對(duì)最大感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為Em和最大磁通量 фm的理解，應(yīng)用公式可直接求出．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2008?北京）均勻?qū)Ь�(xiàn)制成的單匝正方形閉合線(xiàn)框abcd，每邊長(zhǎng)為L(zhǎng)，總電阻為R，總質(zhì)量為m，將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng)上方h處，如圖所示．線(xiàn)框由靜止自由下落，線(xiàn)框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場(chǎng)邊界面平行，當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)．
（1）求cd兩點(diǎn)間的電勢(shì)差大�。�
（2）若此時(shí)線(xiàn)框加速度恰好為零，求線(xiàn)框下落的高度h所應(yīng)滿(mǎn)足的條件．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2013?永康市模擬）均勻?qū)Ь�(xiàn)制成的單匝正方形閉合線(xiàn)框abcd，每邊長(zhǎng)L=0.1m，總電阻R=0.1Ω，總質(zhì)量為m=0.1kg．將其置于磁感強(qiáng)度B=1.0T的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng)上方h處，如圖所示．線(xiàn)框由靜止自由下落，線(xiàn)框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場(chǎng)邊界面平行，取g=10m/s2．
（1）當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，線(xiàn)框做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)，求線(xiàn)框下落的高度h；
（2）線(xiàn)框進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中的電功率P；
（3）若磁場(chǎng)的寬度等于L，從cd剛進(jìn)入磁場(chǎng)到ab完全離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中，試在答題卷的坐標(biāo)紙中畫(huà)出cd兩點(diǎn)間的電勢(shì)差Ucd與時(shí)間的關(guān)系圖線(xiàn)，在圖象中注明關(guān)鍵點(diǎn)的數(shù)據(jù)（不要求書(shū)寫(xiě)求解過(guò)程）；
（4）為了減小下落的高度就能使線(xiàn)框剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)就做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)，三個(gè)同學(xué)各自提出了方案：
甲：用同種規(guī)格的導(dǎo)線(xiàn)，做成邊長(zhǎng)為2L的單匝線(xiàn)框；
乙：用同種材料但粗一些的導(dǎo)線(xiàn)，做成邊長(zhǎng)仍為L(zhǎng)的單匝線(xiàn)框；
丙：用同種規(guī)格的導(dǎo)線(xiàn)，做成邊長(zhǎng)仍為L(zhǎng)的雙匝線(xiàn)框；
對(duì)上述三位同學(xué)的方案，請(qǐng)給出你的評(píng)價(jià)．

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科目：高中物理 來(lái)源：2011-2012學(xué)年江西省高三聯(lián)合考試?yán)砭C物理卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線(xiàn)框abcd的電阻為R，線(xiàn)框的質(zhì)量為m，高度為L(zhǎng)、寬度為2L．若線(xiàn)框無(wú)初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動(dòng)．在線(xiàn)框的下方，有一個(gè)上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)，磁場(chǎng)區(qū)高度為2L，磁場(chǎng)方向與線(xiàn)框平面垂直．閉合線(xiàn)圈下落后，可勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)．對(duì)此，下列說(shuō)法中正確的是

A．線(xiàn)圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，感應(yīng)電流的方向?yàn)閍→b→c→d→a        

B．線(xiàn)圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，a、b兩點(diǎn)間的電壓為

C．線(xiàn)圈在磁場(chǎng)以上，下落的高度為

D．線(xiàn)圈從開(kāi)始下落到ab邊剛好離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

 

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示，由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線(xiàn)框abcd的電阻為R，線(xiàn)框的質(zhì)量為m，高度為L、寬度為2L．若線(xiàn)框無(wú)初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動(dòng)．在線(xiàn)框的下方，有一個(gè)上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)，磁場(chǎng)區(qū)高度為2L，磁場(chǎng)方向與線(xiàn)框平面垂直．閉合線(xiàn)圈下落后，可勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)．對(duì)此，下列說(shuō)法中正確的是

A．線(xiàn)圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，感應(yīng)電流的方向?yàn)?i>a→b→c→d→a　　　　

B．線(xiàn)圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，a、b兩點(diǎn)間的電壓為

C．線(xiàn)圈在磁場(chǎng)以上，下落的高度為

D．線(xiàn)圈從開(kāi)始下落到ab邊剛好離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

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科目：高中物理 來(lái)源：2012屆江西省贛州三中、于都中學(xué)高三聯(lián)合考試?yán)砭C物理卷（帶解析） 題型：單選題

如圖所示，由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線(xiàn)框abcd的電阻為R，線(xiàn)框的質(zhì)量為m，高度為L(zhǎng)、寬度為2L．若線(xiàn)框無(wú)初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動(dòng)．在線(xiàn)框的下方，有一個(gè)上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)，磁場(chǎng)區(qū)高度為2L，磁場(chǎng)方向與線(xiàn)框平面垂直．閉合線(xiàn)圈下落后，可勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)．對(duì)此，下列說(shuō)法中正確的是

A．線(xiàn)圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，感應(yīng)電流的方向?yàn)閍→b→c→d→a
B．線(xiàn)圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，a、b兩點(diǎn)間的電壓為
C．線(xiàn)圈在磁場(chǎng)以上，下落的高度為
D．線(xiàn)圈從開(kāi)始下落到ab邊剛好離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

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