如圖所示的電場(chǎng)中，M、N為電場(chǎng)線(xiàn)上兩點(diǎn)，分別用E和φ代表場(chǎng)強(qiáng)和電勢(shì)，以下判斷正確的是

A．EM ＜ENφM＜φNB．EM ＞ENφM＞φN
C．EM ＞ENφM＜φND．EM ＜ENφM＞φN

B

解析試題分析：由圖知M點(diǎn)的電場(chǎng)線(xiàn)要比N點(diǎn)的電場(chǎng)線(xiàn)密，得到,AD錯(cuò)；由沿電場(chǎng)線(xiàn)方向電勢(shì)降低，得,B對(duì)，C錯(cuò)。
考點(diǎn)：電場(chǎng)線(xiàn)與場(chǎng)強(qiáng)、電勢(shì)的關(guān)系
點(diǎn)評(píng)：學(xué)生要清楚電場(chǎng)線(xiàn)的疏密表示場(chǎng)強(qiáng)的大小，知道沿電場(chǎng)線(xiàn)方向電勢(shì)降低。

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在電場(chǎng)線(xiàn)如圖所示的電場(chǎng)中有M、N兩點(diǎn)，一個(gè)帶電離子（不計(jì)重力）僅在電場(chǎng)力作用下由靜止開(kāi)始從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)，則（　　）

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在電場(chǎng)線(xiàn)如圖所示的電場(chǎng)中有M、N兩點(diǎn)，一個(gè)帶電離子（不計(jì)重力）僅在電場(chǎng)力作用下由靜止開(kāi)始從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)，則（　�。�

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精英家教網(wǎng)在電場(chǎng)線(xiàn)如圖所示的電場(chǎng)中有M、N兩點(diǎn)，一個(gè)帶電離子（不計(jì)重力）僅在電場(chǎng)力作用下由靜止開(kāi)始從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)，則（　�。�
A、該離子在N點(diǎn)的速度可能為零B、M點(diǎn)處的電勢(shì)比N點(diǎn)處的電勢(shì)低C、M點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度比N點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度大D、該離子在M點(diǎn)的電勢(shì)能大于在N點(diǎn)的電勢(shì)能

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科目：高中物理 來(lái)源：2014屆廣東省珠海市高二上學(xué)期期末質(zhì)檢物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示的電場(chǎng)中，M、N為電場(chǎng)線(xiàn)上兩點(diǎn)，分別用E和φ代表場(chǎng)強(qiáng)和電勢(shì)，以下判斷正確的是

A．EM ＜ENφM＜φN                       B．EM ＞ENφM＞φN

C．EM ＞ENφM＜φN                        D．EM ＜ENφM＞φN

 

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