(2010年高考天津理綜卷)在靜電場(chǎng)中,將一正電荷從a點(diǎn)移到b點(diǎn),電場(chǎng)力做了負(fù)功,則(  )

A.b點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度一定比a點(diǎn)大

B.電場(chǎng)線方向一定從b指向a

C.b點(diǎn)的電勢(shì)一定比a點(diǎn)高

D.該電荷的動(dòng)能一定減小

 

【答案】

C

【解析】電場(chǎng)力做負(fù)功,該電荷電勢(shì)能增加.正電荷在電勢(shì)高處電勢(shì)能較大,C正確.電場(chǎng)力做負(fù)功同時(shí)電荷可能還受其他力作用,總功不一定為負(fù).由動(dòng)能定理可知,動(dòng)能不一定減小,D錯(cuò).電勢(shì)高低與場(chǎng)強(qiáng)大小無必然聯(lián)系,A錯(cuò).b點(diǎn)電勢(shì)高于a點(diǎn),但a、b可能不在同一條電場(chǎng)線上,B錯(cuò).

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
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(2010年高考天津理綜卷)如圖所示,質(zhì)量m1=0.1 kg,電阻R1=0.3 Ω,長度l=0.4 m的導(dǎo)體棒ab橫放在U形金屬框架上.框架質(zhì)量m2=0.2 kg,放在絕緣水平面上,與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.2.相距0.4 m的MM′、NN′相互平行,電阻不計(jì)且足夠長.電阻R2=0.1 Ω的MN垂直于MM′.整個(gè)裝置處于豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.5 T.垂直于ab施加F=2 N的水平恒力,ab從靜止開始無摩擦地運(yùn)動(dòng),始終與MM′、NN′保持良好接觸.當(dāng)ab運(yùn)動(dòng)到某處時(shí),框架開始運(yùn)動(dòng).設(shè)框架與水平面間最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力,g取10 m/s2.

(1)求框架開始運(yùn)動(dòng)時(shí)ab速度v的大小;
(2)從ab開始運(yùn)動(dòng)到框架開始運(yùn)動(dòng)的過程中,MN上產(chǎn)生的熱量Q=0.1 J,求該過程ab位移x的大。

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圖4-2-16

A.A1示數(shù)變大,A1與A2示數(shù)的比值變小

B.A1示數(shù)變大,A1與A2示數(shù)的比值變大

C.V2示數(shù)變小,V1與V2示數(shù)的比值變大

D.V2示數(shù)不變,V1與V2示數(shù)的比值不變

 

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A.0.25 m/s 向右  B.0.25 m/s 向左

C.1 m/s 向右      D.1 m/s 向左

 

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(2010年高考天津理綜卷)如圖所示,質(zhì)量m1=0.1 kg,電阻R1=0.3 Ω,長度l=0.4 m的導(dǎo)體棒ab橫放在U形金屬框架上.框架質(zhì)量m2=0.2 kg,放在絕緣水平面上,與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.2.相距0.4 m的MM′、NN′相互平行,電阻不計(jì)且足夠長.電阻R2=0.1 Ω的MN垂直于MM′.整個(gè)裝置處于豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.5 T.垂直于ab施加F=2 N的水平恒力,ab從靜止開始無摩擦地運(yùn)動(dòng),始終與MM′、NN′保持良好接觸.當(dāng)ab運(yùn)動(dòng)到某處時(shí),框架開始運(yùn)動(dòng).設(shè)框架與水平面間最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力,g取10 m/s2.

(1)求框架開始運(yùn)動(dòng)時(shí)ab速度v的大小;

(2)從ab開始運(yùn)動(dòng)到框架開始運(yùn)動(dòng)的過程中,MN上產(chǎn)生的熱量Q=0.1 J,求該過程ab位移x的大。

 

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A.A=1 m f=5 Hz                  B.A=0.5 m f=5 Hz

C.A=1 m f=2.5 Hz                D.A=0.5 m f=2.5 Hz

 

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