【題目】如圖所示的電路中,A1和A2是完全相同的燈泡,線圈L的電阻可以忽略.下列說法中正確的是
A.合上開關S接通電路時,A2先亮,A1后亮,然后一樣亮
B.合上開關S接通電路時,A1和A2始終一樣亮
C.斷開開關S切斷電路時,A2立刻熄滅,A1過一會兒才熄滅
D.斷開開關S切斷電路時,A1和A2都立刻熄滅
科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】關于人造地球衛(wèi)星,下列各種說法中正確的是( 。
A.根據(jù)向心力可知,軌道半徑增大到2倍時,衛(wèi)星所需向心力減小到原來的
B.根據(jù)衛(wèi)星的向心力是地球?qū)πl(wèi)星的引力 提供可知,軌道半徑增大到2倍時,向心力減小到原來的
C.根據(jù)v r可知,人造衛(wèi)星的軌道半徑增大到2倍時,衛(wèi)星的線速度v也增大2倍
D.根據(jù)可知,人造衛(wèi)星的軌道半徑增大時,衛(wèi)星的線速度v是減小的
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,a、b、c、d為勻強電場中的等勢面,一個質(zhì)量為m,電荷量為q的帶正電的粒子在A點以大小為v1的速度射入電場,沿如圖軌跡到達B點時速度大小為v2,且速度與等勢面平行,A、B連線長為L,連線與等勢面間的夾角為θ,不計粒子受到的重力,則( )
A. v1大于v2
B. 等勢面b的電勢比等勢面c的電勢高
C. 粒子從A運動到B所用時間為
D. 勻強電場的電場強度大小為
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【題目】對光電效應的解釋正確的是
A.金屬內(nèi)的每個電子可以吸收一個或一個以上的光子,它積累的動能足夠大時,就能從金屬中逸出
B.如果入射光子的能量小于金屬表面的電子克服表面的引力要做的最小功,光電子便不能逸出來,即光電效應便不能發(fā)生了
C.發(fā)生光電效應時,入射光越強,光子的能量就越大,發(fā)射的光電子的最大初動能就越大
D.由于不同的金屬逸出功是不相同的,因此使不同金屬產(chǎn)生光電效應的入射光的最低頻率也不相同
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【題目】在光電效應實驗中,飛飛同學用同一光電管在不同實驗條件下得到了三條光電流與電壓之間的關系曲線(甲光、乙光、丙光),如圖所示。則可判斷出
A. 甲光的頻率大于乙光的頻率
B. 乙光的波長大于丙光的波長
C. 乙光對應的截止頻率大于丙光的截止頻率
D. 甲光對應的光電子最大初動能大于丙光的光電子最大初動能
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【題目】如圖所示,一個匝數(shù)n=100匝的圓形導體線圈,面積S1=0.4m2,電阻r=1Ω.在線圈中存在面積S2=0.3m2的垂直線圈平面向外的勻強磁場區(qū)域,磁感應強度B隨時間t變化的關系如圖乙所示.有一個R=2Ω的電阻,將其兩端a、b分別與圖甲中的圓形線圈相連接,b端接地,則下列說法正確的是( )
A.圓形線圈中產(chǎn)生的感應電動勢E=6V
B.在0~4s時間內(nèi)通過電阻R的電荷量q=8C
C.設b端電勢為零,則a端的電勢φa=3V
D.在0~4s時間內(nèi)電阻R上產(chǎn)生的焦耳熱Q=18J
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【題目】(多選)如圖所示,豎直平行金屬導軌MN、PQ上端接有電阻R,金屬桿ab質(zhì)量為m,跨在平行導軌上,垂直導軌平面的水平勻強磁場的磁感應強度為B,不計ab與導軌電阻及一切摩擦,且ab與導軌接觸良好.若ab桿在豎直向上的外力F作用下勻速上升,則以下說法正確的是 ( )
A. 桿ab克服安培力做的功等于電阻R上產(chǎn)生的熱量
B. 拉力F所做的功等于電阻R上產(chǎn)生的熱量
C. 拉力F與重力做功的代數(shù)和等于電阻R上產(chǎn)生的熱量
D. 電流所做的功等于重力勢能的增加量
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【題目】如圖所示,把一重力不計的通電直導線水平放在蹄形磁鐵兩極的正上方,導線可以自由轉(zhuǎn)動,當導線通入圖示方向電流I時,導線的運動情況是(從上往下看)( )
A.順時針方向轉(zhuǎn)動,同時下降
B.順時針方向轉(zhuǎn)動,同時上升
C.逆時針方向轉(zhuǎn)動,同時下降
D.逆時針方向轉(zhuǎn)動,同時上升
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【題目】用射線照射充氮的云室(發(fā)生核反應),得到如.圖所示的照片,下列說法中正確的是( )
A.A是粒子的徑跡,B是質(zhì)子的徑跡,C是新核的徑跡
B.B是粒子的徑跡,A是質(zhì)子的徑跡,C是新核的徑跡
C.C是粒子的徑跡,A是質(zhì)子的徑跡,B是新核的徑跡
D.B是粒子的徑跡,C是質(zhì)子的徑跡,A是新核的徑跡
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