如圖所示,一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).另一個(gè)電量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙,從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)的速度最小為v.已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L0及靜電力常量為k,則? (????? )

AOB間的距離大于

B.點(diǎn)電荷乙能越過B點(diǎn)向左運(yùn)動(dòng),其電勢(shì)能仍增多

C.在點(diǎn)電荷甲形成的電場(chǎng)中,AB間電勢(shì)差

D.從AB的過程中,電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為

 

【答案】

C

【解析】

試題分析:由題意知點(diǎn)電荷乙從AB減速運(yùn)動(dòng),所以開始時(shí)庫侖力小于摩擦力,但從AB過程中,庫侖力增大,其合力減小,當(dāng)?shù)竭_(dá)B點(diǎn)時(shí)速度最小,即庫侖力等于摩擦力,有,解得:,故選項(xiàng)A錯(cuò)誤;到達(dá)B點(diǎn)時(shí)點(diǎn)電荷乙具有速度,繼續(xù)向前運(yùn)動(dòng),庫侖力繼續(xù)增大,開始大于摩擦力,所以點(diǎn)電荷加速運(yùn)動(dòng),但電場(chǎng)力仍做正功,電勢(shì)能減小,故選項(xiàng)B錯(cuò)誤;從AB,由動(dòng)能定理可知:,解得:,故選項(xiàng)D錯(cuò)誤;由可得:,故選項(xiàng)C正確.

考點(diǎn):考查力和運(yùn)動(dòng)之間的關(guān)系及動(dòng)能定理的應(yīng)用.

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).另一個(gè)電學(xué)量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙,從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)的速度最小為v.已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L(zhǎng)0及靜電力常量為k,則(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2009?揚(yáng)州模擬)如圖所示,一個(gè)電量為+Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn),另一個(gè)電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v.已知靜電力常量為k,點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,AB間距離為L(zhǎng)則(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2011?鷹潭一模)如圖所示,一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).另一個(gè)電學(xué)量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙,從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)時(shí)的速度為v,且為運(yùn)動(dòng)過程中速度最小值.已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,AB間距離為L(zhǎng)0,靜電力常量為k,則下列說法正確的是(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2013?湖南模擬)如圖所示,一個(gè)電量為+Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn),另一個(gè)電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度vo沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v.已知靜電力常量為k,點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,AB間距離為L(zhǎng),則以下說法不正確的是(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).另一個(gè)電量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙,從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)的速度最小為v.已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L(zhǎng)0及靜電力常量為k,則(  )
A、OB間的距離大于
kQq
μmg
B、點(diǎn)電荷乙能越過B點(diǎn)向左運(yùn)動(dòng),其電勢(shì)能仍增多
C、在點(diǎn)電荷甲形成的電場(chǎng)中,AB間電勢(shì)差UAB=
μmgL+
1
2
mv2-
1
2
m
v
2
0
q
D、從A到B的過程中,電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為W=μmgL0+
1
2
m
v
2
0
-
1
2
mv2

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