【題目】一定質(zhì)量的理想氣體由狀態(tài)A經(jīng)狀態(tài)B變?yōu)闋顟B(tài)C,其中A B過(guò)程為等壓變化,B C過(guò)程為等容變化。已知VA=0.3m3,TA=TC=300K、TB=400K。
(1)求氣體在狀態(tài)B時(shí)的體積。
(2)說(shuō)明B C過(guò)程壓強(qiáng)變化的微觀原因
(3)設(shè)A B過(guò)程氣體吸收熱量為Q1,B C過(guò) 氣體 放出熱量為Q2,比較Q1、Q2的大小說(shuō)明原因。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】將物體豎直向上拋出后,如果在上升階段和下落階段所受空氣阻力大小相等,則能正確反映物體的速度(以豎直向上作為正方向)隨時(shí)間變化的是:_______
A、B、C、D、E、
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】近幾年我國(guó)在航空航天工業(yè)上取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,既實(shí)現(xiàn)了載人的航天飛行,又實(shí)現(xiàn)了航天員的出艙活動(dòng).如圖所示,在某次航天飛行實(shí)驗(yàn)活動(dòng)中,飛船先沿橢圓軌道1飛行,后在遠(yuǎn)地點(diǎn)343千米的P處點(diǎn)火加速,由橢圓軌道1變成高度為343千米的圓軌道2.下列判斷正確的是( )
A. 飛船在橢圓軌道1上的機(jī)械能比圓軌道2上的機(jī)械能大
B. 飛船在圓軌道2上時(shí)航天員出艙前后都處于失重狀態(tài)
C. 飛船在此圓軌道2上運(yùn)動(dòng)的角速度小于同步衛(wèi)星運(yùn)動(dòng)的角速度
D. 飛船在橢圓軌道1上通過(guò)P的加速度小于沿圓軌道2運(yùn)動(dòng)的加速度
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】圖中氣缸內(nèi)盛有定量的理想氣體,氣缸壁是導(dǎo)熱的,缸外環(huán)境保持恒溫,活塞與氣缸壁的接觸是光滑的,但不漏氣,F(xiàn)將活塞桿與外界連接使其緩慢的向右移動(dòng),這樣氣體將等溫膨脹并通過(guò)桿對(duì)外做功。若已知理想氣體的內(nèi)能只與溫度有關(guān),則下列說(shuō)法正確的是( )
A. 氣體是從單一熱源吸熱,全用來(lái)對(duì)外做功,因此此過(guò)程違反熱力學(xué)第二定律
B. 氣體是從單一熱源吸熱,但并未全用來(lái)對(duì)外做功,所以此過(guò)程不違反熱力學(xué)第二定律
C. 氣體是從單一熱源吸熱,全用來(lái)對(duì)外做功,但此過(guò)程不違反熱力學(xué)第二定律
D. ABC三種說(shuō)法都不對(duì)
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】一只質(zhì)量是8kg的猴子沿著長(zhǎng)為12m的豎直在地面上的鋼管往下滑,它從鋼管頂端下滑到底端的運(yùn)動(dòng)圖像如圖所示;重力加速度g取10m/s2,則()
A. 猴子加速下滑的高度與減速下滑的高度之比為1:2
B. 下滑過(guò)程中猴子的最大動(dòng)能為128J
C. 下滑過(guò)程中猴子的機(jī)械能可能先增大后減小
D. 加速與減速下滑的過(guò)程中猴子所受的摩擦力大小之比為1:7
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】關(guān)于電能輸送的以下分析,正確的是( )
A. 由公式P=U2/R知,輸電電壓越高,輸電線上功率損失越大
B. 由公式P=U2/R知,輸電導(dǎo)線電阻越大,輸電線上功率損失越少
C. 由公式P=I2R知,輸電電流越大,輸電導(dǎo)線上功率損失越大
D. 由公式P=UI知,輸電導(dǎo)線上的功率損失與輸電電壓成正比
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,線圈兩端與電阻相連構(gòu)成閉合回路,在線圈上方有一豎直放置的條形磁鐵,磁鐵的N極朝下.在磁鐵的N極向下靠近線圈的過(guò)程中
A. 通過(guò)電阻的感應(yīng)電流方向由a到b,線圈與磁鐵相互排斥
B. 通過(guò)電阻的感應(yīng)電流方向由b到a,線圈與磁鐵相互排斥
C. 通過(guò)電阻的感應(yīng)電流方向由a到b,線圈與磁鐵相互吸引
D. 通過(guò)電阻的感應(yīng)電流方向由b到a,線圈與磁鐵相互吸引
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】圖a為測(cè)量分子速率分布的裝置示意圖。圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng),側(cè)面開有狹縫N,內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜,M為正對(duì)狹縫的位置。從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過(guò)屏上S縫后進(jìn)入狹縫N,在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上。展開的薄膜如圖b所示,NP,PQ間距相等。則 ( )
A. 到達(dá)M附近的銀原子速率較大
B. 到達(dá)Q附近的銀原子速率較大
C. 位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率
D. 位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,兩根平行足夠長(zhǎng)的光滑金屬導(dǎo)軌與水平面成θ=30°角,兩導(dǎo)軌間距為L,導(dǎo)軌上端接一電阻R,導(dǎo)軌電阻忽略不計(jì)。有垂直導(dǎo)軌平面向下的有界磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,該磁場(chǎng)區(qū)域?qū)挒?/span>d2,在距磁場(chǎng)上邊界距離d1處有一質(zhì)量為m、電阻不計(jì)的導(dǎo)體棒,垂直導(dǎo)軌放置,F(xiàn)將該導(dǎo)體棒由靜止釋放,在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中導(dǎo)體棒始終與導(dǎo)軌接觸良好,導(dǎo)體棒加速離開磁場(chǎng)下邊界時(shí)的加速度為,( g為重力加速度),求:
(1)導(dǎo)體棒穿過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中電路通過(guò)的電量q
(2)導(dǎo)體棒穿過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中電阻R產(chǎn)生的電熱Q
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