《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》(選做題)
29.C、Si、Ge、Sn是同族元素,該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:(1)Ge的原子核外電子排布式為
(2)C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中,能夠形成金屬晶體的是
(3)按要求指出下列氧化物的空間構(gòu)型、成鍵方式或性質(zhì)
①CO2分子的空間構(gòu)型及碳氧之間的成鍵方式 ;
②SiO2晶體的空間構(gòu)型及硅氧之間的成鍵方式 ;
③已知SnO2是離子晶體,寫(xiě)出其主要物理性質(zhì) (寫(xiě)出2條即可)
CO可以和很多金屬形成配合物,如Ni(CO)4,Ni與CO之間的鍵型為
(4)碳氧鍵的紅外伸縮振動(dòng)頻率與鍵的強(qiáng)度成正比,已知Ni(CO)4中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2060cm-1,CO分子中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2143cm-1,則Ni(CO)4中碳氧鍵的強(qiáng)度比CO分子中碳氧鍵的強(qiáng)度 (填字母)
A 強(qiáng) B 弱 C 相等 D 無(wú)法判斷
(1)1s22s22p63s23p63d104s24p2
(2)Sn
(3)①直線型 共價(jià)鍵(或σ鍵與π鍵)
②Si-O通過(guò)共價(jià)鍵形成四面體結(jié)構(gòu),四面體之間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
共價(jià)鍵(或σ鍵)
③熔融時(shí)能導(dǎo)電、較高的熔點(diǎn)
(4)配位鍵
(5)B
解析:本題考查學(xué)生對(duì)原子結(jié)構(gòu)和原子核外電子排布的了解,對(duì)常見(jiàn)物質(zhì)空間構(gòu)型和化學(xué)鍵與物質(zhì)的性質(zhì)的了解,以及對(duì)原子晶體、金屬晶體、簡(jiǎn)單配合物的結(jié)構(gòu)的了解及對(duì)離子鍵形成的理解;考查學(xué)生的歸納推理能力、信息遷移能力及其綜合應(yīng)用能力。Ge位于第四周期,其電子排布式為1s22s22p63d104s24p2,C、Si都是非金屬,Sn是金屬晶體。CO2分子為直線型O=C=O,C=O鍵是共價(jià)鍵。SiO2是正四面體結(jié)構(gòu),Si—O是極性共價(jià)鍵。離子晶體有較高的熔點(diǎn),熔融狀態(tài)能導(dǎo)電。CO中有孤對(duì)電子,而Ni原子中有空軌道,Ni與CO之間形成配位鍵。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
417×1030 |
a3NA |
417×1030 |
a3NA |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
元素 | A | B | C |
結(jié)構(gòu)信息 | 基態(tài)原子核外有兩個(gè)電子層,最外層有3個(gè)未成對(duì)的電子 | 基態(tài)原子的M層有1對(duì)成對(duì)的p電子 | 基態(tài)原子核外電子排布為[Ar]3d104sx,有+1、+2兩種常見(jiàn)化合價(jià) |
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