氮化硅(Si3N4)是一種新型陶瓷材料，它可在高溫下的氮?dú)饬髦杏墒⑴c焦炭通過(guò)以下反應(yīng)制得：

3SiO2(s)＋6C(s)＋2N2(g)Si3N4(s)＋6CO(g)＋Q(Q＞0)

完成下列填空：

1、某溫度下該反應(yīng)在一容積為2 L的密閉容器中進(jìn)行，2 min后達(dá)到平衡，剛好有2 mol電子發(fā)生轉(zhuǎn)移，則2 min內(nèi)反應(yīng)的速率為：v(CO)＝________；該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為_(kāi)_______．

2、其它條件不變時(shí)僅增大壓強(qiáng)，則________．

a．K值減小，平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng)

b．K值增大，平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)

c．K值不變，平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng)

d．K值不變，平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)

3、一定條件下能說(shuō)明上述反應(yīng)已達(dá)平衡的是________．

a．c(N2)∶c(CO)＝1∶3

b．3v(N2)＝v(CO)

c．固體質(zhì)量不再改變

d．氣體密度不再改變

4、達(dá)到平衡后改變某一條件，反應(yīng)速率v與時(shí)間t的關(guān)系如下圖所示．若不改變N2與CO的量，則圖中t4時(shí)引起變化的原因可能是________；圖中t6時(shí)引起變化的原因可能是________．

由圖可知，平衡混合物中CO含量最高的時(shí)間段是________．

答案：
解析：

　　1、0.25 mol/L·min(1分，計(jì)算或單位錯(cuò)不給分)　K＝(1分)

　　2、c(1分)

　　3、c、d(1分×2)

　　4、升高溫度或縮小體積(增大壓強(qiáng))(1分)　加入了催化劑(1分)　t3～t4(1分)．


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

氮化硅Si3N4是一種非氧化物高溫陶瓷結(jié)構(gòu)材料．粉末狀的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3氣的混合物反應(yīng)制�。勰頢i3N4對(duì)空氣和水都不穩(wěn)定，粉末狀Si3N4遇水能生成一種有刺激性氣味、常用做制冷劑的氣體和一種難溶性的酸；粉末狀Si3N4與空氣接觸能產(chǎn)生N2和另外一種物質(zhì)．但是，將粉末狀Si3N4和適量MgO（難熔）在230℃1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理，可以得到結(jié)構(gòu)十分緊密、對(duì)空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料．
（1）寫(xiě)出由SiCl4和NH3制備Si3N4的反應(yīng)方程式：
3SiCl4+4NH3═Si3N4+12HCl
3SiCl4+4NH3═Si3N4+12HCl
．
（2）分別寫(xiě)出粉末狀Si3N4和H2O及O2反應(yīng)的方程式：
Si3N4+9H2O═3H2SiO3+4NH3
Si3N4+9H2O═3H2SiO3+4NH3
；
Si3N4+3O2═3SiO2+2N2
Si3N4+3O2═3SiO2+2N2
．
（3）為什么結(jié)構(gòu)緊密的固體Si3N4不再受H2O和O2的侵蝕？

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

硅在材料王國(guó)中具有舉足輕重的位置．請(qǐng)解答下列試題：
（1）硅的制備方法是制約太陽(yáng)能發(fā)展的瓶頸，硅的制備原料是石英砂，石英與焦炭在高溫電爐中反應(yīng)可以制得硅．該反應(yīng)的化學(xué)方程式是
 
，該反應(yīng)的氣體產(chǎn)物是一氧化碳，不是二氧化碳，其原因是
 
．
（2）氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料，粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制�。勰頢i3N4對(duì)空氣和水都不穩(wěn)定．但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×l05Pa和185℃的密閉容器中熱處理，可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對(duì)空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料，同時(shí)還得到對(duì)水不穩(wěn)定的Mg3N2．
①寫(xiě)出由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)反應(yīng)方程式
 
；
②現(xiàn)用四氯化硅和氮?dú)庠跉錃鈿夥毡Ｗo(hù)下，加強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng)，使生成的Si3N4沉積在石墨表面可得較高純度的氮化硅，該制造方法稱(chēng)為：
 
；反應(yīng)的化學(xué)方程式為
 
；該法還可制造金剛石薄膜，反應(yīng)的化學(xué)方程式為
 
．
③在Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105 Pa和185℃的密閉容器中熱處理的過(guò)程中，除生成Mg3N2外，還可能生成
 
物質(zhì)．熱處理后除去MgO和Mg3N2的方法是
 
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

氮化硅(Si3N4)是一種非氧化物高溫陶瓷結(jié)構(gòu)材料，粉末狀的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3的混合物反應(yīng)制取。粉末狀Si3N4對(duì)空氣和水都不穩(wěn)定。但是，將粉末狀Si3N4和適量MgO在230×1.01×105 Pa和185 ℃的密閉容器中熱處理，可以得到表面結(jié)構(gòu)十分緊密、對(duì)空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體高溫結(jié)構(gòu)材料。

(1)寫(xiě)出由SiCl4和NH3制備Si3N4的反應(yīng)方程式。?

(2)分別寫(xiě)出粉末狀Si3N4和H2O、O2反應(yīng)的方程式。?

(3)為什么結(jié)構(gòu)緊密的固體Si3N4不再受H2O和O2的侵蝕？?????

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

(1)用地殼中某主要元素生產(chǎn)的多種產(chǎn)品在現(xiàn)代高科技中占重要位置，足見(jiàn)化學(xué)對(duì)現(xiàn)代物質(zhì)文明的重要作用。例如：

①光導(dǎo)纖維的主要成分是______________；

②目前應(yīng)用最多的太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化材料是_____________________。

(2)氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料，粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制取。粉末狀Si3N4對(duì)空氣和水都不穩(wěn)定。但將粉末狀的Si3N4和適?量氧化鎂在230×1.01×105 Pa和185℃?的密閉容器中熱處理，可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對(duì)空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料，同時(shí)還得到對(duì)水不穩(wěn)定的Mg3N2。

①經(jīng)過(guò)熱處理的Si3N4,其晶體類(lèi)型為_(kāi)__________________________________；

②寫(xiě)出由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)反應(yīng)方程式：____________________________；

③Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105 Pa和185℃的密閉容器中熱處理的過(guò)程中，除生成Mg3N2外，還可能生成_______物質(zhì)。熱處理后除去MgO和Mg3N2的方法是______________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2010-2011學(xué)年甘肅省高三第三次模擬考試（理綜）化學(xué)部分 題型：填空題

(14分)氮化硅(Si3N4)是一種新型陶瓷材料，它可由SiO2與過(guò)量焦炭在1300-1700oC的氮?dú)饬髦蟹磻?yīng)制得3SiO2(s)+6C(s)+2N2(g) Si3N4(s)+6CO(g)

(1)上述反應(yīng)氧化劑是          ，已知該反應(yīng)每轉(zhuǎn)移1mole—，放出132.6kJ的熱量，該方程式的∆H =                  。

(2)能判斷該反應(yīng)(在體積不變的密閉容器中進(jìn)行)已經(jīng)達(dá)到平衡狀態(tài)的是            。

       A．焦炭的質(zhì)量不再變化                B．N2和CO速率之比為1:3

       C．生成6molCO同時(shí)消耗1mol Si3N4     D．混合氣體的密度不再變化

(3)該反應(yīng)的溫度控制在1300-1700oC的原因是                              。

(4)某溫度下，測(cè)得該反應(yīng)中N2和CO各個(gè)時(shí)刻的濃度如下，則0—20 min內(nèi)N2的平均

反應(yīng)速率                   ，在平衡混合氣體中CO的體積分?jǐn)?shù)是             。

時(shí)間/min

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

N2濃度

/mol·L-1

4.00

3.70

3.50

3.36

3.26

3.18

3.10

3.00

3.00

3.00

CO濃度

/mol·L-1

0.00

0.90

1.50

1.92

2.22

2.46

2.70

—

—

—

 

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