Question

（2009?廣州模擬）（1）下列現象和應用與電子躍遷無關的是

CF

．
A．激光             B．焰色反應           C．燃燒放熱
D．原子光譜         E．霓虹燈              F．石墨導電
（2）A、B、C三種短周期元素，A是原子半徑最小的元素，B原子最外層電子數是次外層的兩倍，C元素的基態(tài)原子L層有兩個未成對電子．
①某直線形分子由A、B兩種元素組成且原子個數比為1：1，該分子中含有

3

個σ鍵，

2

個π鍵．
②由A、B、C三種元素組成的無機陰離子，可形成二聚離子或多聚鏈狀離子，從該陰離子的結構特點分析能夠相互締合的原因：

HCO₃^-中含有O-H鍵，相互之間可通過O-H┅O氫鍵締合

．
（3）CO的結構可表示為C≡O，N₂的結構可表示為N≡N．下表是兩者的鍵能數據：（單位：kJ/mol）

	A-B	A=B	A≡B
C≡O	357.7	798.9	1071.9
N≡N	154.8	418.4	941.7

結合數據說明CO比N₂活潑的原因：

斷裂C≡O中的一個π鍵消耗的能量是273kJ/mol，斷裂N≡N中的一個π鍵消耗的能量是523.3kJ/mol，斷裂一個π鍵CO比N₂更容易，所以CO更活潑

．
（4）Fe、Co、Ni、Cu等金屬能形成配合物與這些金屬原子的電子層結構有關．
①基態(tài)₂₈Ni原子的核外電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁸4s²

．
②Fe（CO）₅常溫下呈液態(tài)，熔點為-20.5℃，沸點為103℃，易溶于非極性溶劑，據此可判斷Fe（CO）₅晶體屬于

分子晶體

（填晶體類型）．
③CuSO₄?5H₂O（膽礬）中含有水合銅離子因而呈藍色，寫出膽礬晶體中水合銅離子的結構簡式（必須將配位鍵表示出來）

．

Answer 1

分析：（1）燃燒放熱，石墨導電與電子躍遷無關．
（2）A、B、C三種短周期元素，A是原子半徑最小的元素，則A為氫元素；B原子最外層電子數是次外層的兩倍，則B為碳元素；C元素的基態(tài)原子L層有兩個未成對電子，則C為氧元素．
①由A、B兩種元素組的成直線形分子且原子個數比為1：1，該分子為C₂H₂，分子中含有2個C-H鍵，1個C≡C鍵．
②由A、B、C三種元素組成的無機陰離子為HCO₃^-，HCO₃^-中含有O-H鍵，O元素電負性很強，離子鍵形成氫鍵．
（3）根據斷裂三鍵中的中的一個π鍵消耗的能量判斷．
（4）①根據核外電子排布規(guī)律書寫．
②根據物質的性質判斷晶體類型．
③CuSO₄?5H₂O中銅離子含有空軌道，水分子含有孤對電子對，銅離子與水分子之間形成配位鍵，銅離子配體數為4．

解答：解：（1）燃燒放熱是物質的化學能轉化為熱能，石墨是層狀結構，層間有自由移動的電子，二者與電子躍遷無關．
故選：CF．
（2）A、B、C三種短周期元素，A是原子半徑最小的元素，則A為氫元素；B原子最外層電子數是次外層的兩倍，則B為碳元素；C元素的基態(tài)原子L層有兩個未成對電子，則C為氧元素．
①由A、B兩種元素組的成直線形分子且原子個數比為1：1，該分子為C₂H₂，分子中含有2個C-H鍵，1個C≡C鍵，單鍵是σ鍵，三鍵含有1個σ鍵、2個π鍵，所以C₂H₂分子中含有3個σ鍵、2個π鍵．
故答案為：3；2．
②由A、B、C三種元素組成的無機陰離子為HCO₃^-，HCO₃^-中含有O-H鍵，O元素電負性很強，離子鍵形成氫鍵，相互之間可通過O-H┅O氫鍵締合．
故答案為：HCO₃^-中含有O-H鍵，相互之間可通過O-H┅O氫鍵締合．
（3）根據表中數據可知，斷裂C≡O中的一個π鍵消耗的能量是1071.9kJ/mol-798.9kJ/mol=273kJ/mol，斷裂N≡N中的一個π鍵消耗的能量是941.7kJ/mol-418.4kJ/mol=523.3kJ/mol，斷裂一個π鍵CO比N₂更容易，所以CO更活潑．
故答案為：斷裂C≡O中的一個π鍵消耗的能量是273kJ/mol，斷裂N≡N中的一個π鍵消耗的能量是523.3kJ/mol，斷裂一個π鍵CO比N₂更容易，所以CO更活潑．
（4）①基態(tài)₂₈Ni原子的核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁸4s²．
 故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁸4s²．
②Fe（CO）₅常溫下呈液態(tài)，熔點為-20.5℃，沸點為103℃，熔沸點降低，易溶于非極性溶劑，據此可判斷Fe（CO）₅晶體屬于分子晶體．
故答案為：分子晶體．
③CuSO₄?5H₂O中銅離子含有空軌道，水分子含有孤對電子對，銅離子與水分子之間形成配位鍵，銅離子配體數為4．水合銅離子的結構簡式為．
故答案為：．

點評：題目綜合性較大，涉及元素推斷、晶體與化學鍵、核外電子排布規(guī)律等，難度不大，是對所學知識及學生能力的綜合考查．注意基礎知識的掌握．