【物質結構與性質】
已知A、B、c、D、E五種元素的原子序數(shù)依次增大,其中A原子所處的周期數(shù)、族序數(shù)都與其原子序數(shù)相等;B原子核外電子有6種不同的運動狀態(tài),S軌道電子數(shù)是P軌道電子數(shù)的兩倍;D原子L層上有2對成對電子;E+原子核外有3層電子且M層3d軌道電子全充滿.
請回答下列問題:
(1)E元素基態(tài)原子的電子排布式為
 

(2)B、C、D三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序為
 
(填元素符號),其原因是
 

(3)D元素與氟元素相比,電負性:D
 
F(填“>”、“=”或“<”),下列表述中能證明這一事實的是
 
(填選項序號)
A.常溫下氟氣的顏色比D單質的顏色深
B.氟氣與D的氫化物劇烈反應,產(chǎn)生D的單質
C.氟與D形成的化合物中D元素呈正價態(tài)
D.比較兩元素的單質與氫氣化合時得電子的數(shù)目
(4)離子化合物CA,的電子式為
 
,它的晶體中含有多種化學鍵,但一定不含有的化學鍵是
 
(填選項序號).
A.極性鍵    B.非極性鍵C.配位鍵    D.金屬鍵
(5)B2A4是重要的基本石油化工原料.B2A4分子中B原子軌道的雜化類型為
 
;lmolB2A4分子中σ鍵
 
mol.
分析:根據(jù)A原子所處的周期數(shù)、族序數(shù)都與其原子序數(shù)相等,則A為H;
B原子核外電子有6種不同的運動狀態(tài),S軌道電子數(shù)是P軌道電子數(shù)的兩倍,則B為C;
D原子L層上有2對成對電子,則D為C(舍去)或O;
E+原子核外有3層電子且M層3d軌道電子全充滿,則E為Cu;
(1)根據(jù)電子排布式的書寫方法來回答;
(2)同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢,但第VA族元素的最外層為半充滿結構,第一電離能大于相鄰元素;
(3)D為O元素,電負性小于F,可根據(jù)與氫氣反應的劇烈程度判斷,不能根據(jù)物質的顏色或得失電子的數(shù)目比較,在氟與D形成的化合物中D元素呈正價態(tài),也可說明F得電子能力較強,電負性較大;
(4)只含N、H兩元素的離子化合物,其電子式為精英家教網(wǎng),含有極性鍵和配位鍵;
(5)根據(jù)分子C原子中σ鍵數(shù)目和孤電子對來確定原子軌道的雜化類型;根據(jù)1個單鍵是1個σ鍵,1個雙鍵包含1個σ鍵和1個π鍵.
解答:解:(1)E為Cu,Cu的原子序數(shù)為29,電子排布式為:1s22s22p63s23p63d104s1,
故答案為:1s22s22p63s23p63d104s1
(2)B、C、D三種元素分別是C、N、O元素,N的最外層為包充滿結構,第一電離能最大,C的最小,則第一電離能數(shù)值由小到大的順序為C<O<N,
故答案為:C<O<N;氮的最外層2s22p3為半滿結構,較穩(wěn)定;
(3)D為O元素,電負性小于F,可根據(jù)與氫氣反應的劇烈程度判斷,不能根據(jù)物質的顏色或得失電子的數(shù)目比較,在氟與D形成的化合物中D元素呈正價態(tài),也可說明F得電子能力較強,電負性較大,
故答案為:BC;
(4)只含N、H兩元素的離子化合物,其電子式為精英家教網(wǎng),含有極性鍵和配位鍵,故答案為:精英家教網(wǎng);BD;
(5)C2H4分子中C原子有3個σ鍵,無孤電子對,軌道的雜化類型為sp2雜化,1個C2H4分子中含有5個σ鍵,1個1個π鍵,lmolC2H4分子中σ鍵5mol,
故答案為:sp2;5.
點評:本題綜合考查元素位置、結構與性質的關系,綜合考查學生的分析能力、推斷能力和綜合運用化學知識的能力,難度較大,注意把握電子式的書寫.
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源:江西省模擬題 題型:填空題

(三選一)【物質結構與性質】
已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于48。X的一種1:1型氫化物分子中既有σ鍵又有π 鍵。Z是金屬元素,Z的單質和化合物有廣泛的用途。已知Z的核電荷數(shù)小于28,且次外層有2 個未成對電子。工業(yè)上利用ZO2和碳酸鋇在熔融狀態(tài)下制取化合物M(M可看做一種含氧酸鹽)。M有顯著的“壓電性能”,應用于超聲波的發(fā)生裝置。經(jīng)X射線分析,M晶體的最小重復單位為正方體(如圖),邊長為4.03×10-10m,頂點位置為Z4+所占,體心位置為Ba2+所占,所有棱心位置為O2-所占。
(1)Y在周期表中位于________;Z4+的核外電子排布式為_______________
(2)X的該種氫化物分子構型為____________,X在該氫化物中以____方式雜化。X和Y形成的化合物的熔點應該____(填“高于”或“低于”)X氫化物的熔點。
(3)①制備M的化學反應方程式是____________________;
②在M晶體中,若將Z4+置于立方體的體心,Ba2+置于立方體的頂點,則O2-處于立方體的____;
③在M晶體中,Z4+的氧配位數(shù)為________;
④已知O2-半徑為1.40×10-10m,則Z4+半徑為_________m。

查看答案和解析>>

科目:高中化學 來源:湖北省模擬題 題型:填空題

(三選一)【物質結構與性質】
已知A、B、C、D、E五種元素都是元素周期表中前20號元素,原子序數(shù)依次增大,E的特征電子排布式為4s2。A、B、C、D四種元素在元素周期表中的相對位置如下表所示。
根據(jù)以上信息,回答下列問題:
(1)元素C在元素周期表中的位置是__________;D的電子排布式為:____________。
(2)A和D的氫化物中,沸點較高的是_______,原因是__________________;A和B的離子中,半徑較小的是__________(填離子符號)。
(3)A和E可組成離子化合物,其晶胞(晶胞是在晶體中具有代表性的最小重復單元)結構如圖所示(陽離子用“●”表示,位于該正方體的頂點或面心;陰離子用“〇”表示,均位于小正方體中心)。該化合物的電子式是_______________。
(4)A和E化合物的晶胞1/8的體積為2.0×10-23cm3,求A和E組成的離子化合物的密度,請列式并計算(結果保留一位小數(shù)):_______________________________。

查看答案和解析>>

科目:高中化學 來源:福建省月考題 題型:填空題

(三選一)【物質結構與性質】
已知A、B、C、D、E五種元素都是元素周期表中前20號元素,原子序數(shù)依次增大,E的特征電子排布式為4s2。A、B、C、D四種元素在元素周期表中的相對位置如下表所示。
根據(jù)以上信息,回答下列問題:
(1)元素C在元素周期表中的位置是__________;D的電子排布式為:____________。
(2)A和D的氫化物中,沸點較高的是_______,原因是__________________;A和B的離子中,半徑較小的是__________(填離子符號)。
(3)A和E可組成離子化合物,其晶胞(晶胞是在晶體中具有代表性的最小重復單元)結構如圖所示(陽離子用“●”表示,位于該正方體的頂點或面心;陰離子用“〇”表示,均位于小正方體中心)。該化合物的電子式是_______________。
(4)A和E化合物的晶胞1/8的體積為2.0×10-23cm3,求A和E組成的離子化合物的密度,請列式并計算(結果保留一位小數(shù)):_______________________________。

查看答案和解析>>

科目:高中化學 來源:江西省模擬題 題型:推斷題

(三選一)【物質結構與性質】
已知:A、B、C、D為周期表1~36號中的元素,它們的原子序數(shù)逐漸增大。A的基態(tài)原子有3個不同的能級,各能級中電子數(shù)相等;C的基態(tài)原子2p能級上的未成對電子數(shù)與A原子相同;D的基態(tài)原子的M電子層上有4個未成對電子。
請回答下列問題:
(1)D是元素周期表中第____周期,第_______族的元素;其基態(tài)原子的外圍電子排布式為____________________。
(2)A、B、C、D四種元素中,電負性最大的是________(填元素符號)。
(3)由A、B、C形成的離子CAB與AC2互為等電子體,則CAB中A原子的雜化方式為____________。B的氫化物的沸點遠高于A的氫化物的主要原因是___________________。
(4)D能與AC分子形成D(AC)5,其原因是AC分子中含有________。D(AC)5常溫下呈液態(tài),熔點為-20.5℃,沸點為103℃,易溶于非極性溶劑,據(jù)此可判斷D(AC)5晶體屬于_________(填晶體類型)。
(5)SiO2的晶胞可作如下推導:先將NaCl晶胞中的所有Cl去掉,并將Na全部換成Si原子,再在每兩個不共面的“小立方體”中心處各放置一個Si原子便構成了晶體Si的一個晶胞。再在每兩個相鄰的Si原子(距離最近的兩個Si原子)中心聯(lián)線的中點處增添一個O原子,便構成了SiO2晶胞,故SiO2晶胞中有_______個Si原子,______個O原子。

查看答案和解析>>

同步練習冊答案