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化合物X由元素A、B組成,可用于制造高性能的現(xiàn)代通訊材料-光導纖維;化合物Y由不同短周期元素C、D組成,是良好的耐熱、耐沖擊材料.
(1)已知A的一種單質是一種重要的半導體材料,則A在元素周期表中的位置是
第3周期、ⅣA
第3周期、ⅣA
.A可由X與焦炭在高溫下反應制得,其反應的化學方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑

(2)X與純堿高溫熔融時能生成Z,同時還生成一種氣體M;將一定量氣體M通入z的水溶液中生成白色沉淀和純堿溶液.X與純堿高溫熔融能發(fā)生反應的原因是
難揮發(fā)性酸酐制取揮發(fā)性酸酐
難揮發(fā)性酸酐制取揮發(fā)性酸酐
;M與Z的水溶液能發(fā)生反應的原因是
強酸制弱酸
強酸制弱酸
.要將純堿高溫熔化,下列坩堝中不可選用的是
ABC
ABC

A.普通玻璃坩堝               B.石英玻璃坩堝
C.氧化鋁坩堝                 D.鐵坩堝
(3)C的單質既可與鹽酸、又可與NaOH溶液反應.一定條件下,Y和水作用生成含D的化合物W,W是一種含有10個電子的堿性氣體.則Y的化學式是
AlN
AlN

(4)C的單質、石墨和二氧化鈦(TiO2)按一定比例在高溫下反應得到兩種化合物,兩種化合物均是由兩種元素組成的新型陶瓷材料,則反應的化學方程式是(不必配平)
4Al+3TiO2+3C
 高溫 
.
 
2Al2O3+3TiC
4Al+3TiO2+3C
 高溫 
.
 
2Al2O3+3TiC
分析:化合物X由元素A、B組成,可用于制造高性能的現(xiàn)代通訊材料-光導纖維,應為SiO2,
(1)A的一種單質是一種重要的半導體材料,應為Si,可由SiO2和C在高溫條件下反應生成;
(2)SiO2與純堿在高溫下反應生成硅酸鈉和二氧化碳,二氧化碳通入硅酸鈉溶液中生成硅酸沉淀和碳酸鈉;
(3)C的單質既可與鹽酸、又可與NaOH溶液反應,應為Al,W是一種含有10個電子的堿性氣體,應為NH3,則Y為AlN;
(4)根據(jù)反應物結合質量守恒定律解答.
解答:解:化合物X由元素A、B組成,可用于制造高性能的現(xiàn)代通訊材料-光導纖維,應為SiO2
(1)A的一種單質是一種重要的半導體材料,應為Si,位于周期表第3周期、ⅣA,可由SiO2和C在高溫條件下反應生成,反應的方程式為SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑,
故答案為:第3周期、ⅣA;SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑;
(2)SiO2與純堿在高溫下反應生成硅酸鈉和二氧化碳,原因是難揮發(fā)性酸酐制取揮發(fā)性酸酐,由于碳酸酸性比硅酸強,則二氧化碳通入硅酸鈉溶液中生成硅酸沉淀和碳酸鈉,由于普通玻璃坩堝、石英玻璃坩堝、氧化鋁坩堝等在高溫下都能與碳酸鈉反應而使坩堝炸裂,則應用鐵坩堝,
故答案為:難揮發(fā)性酸酐制取揮發(fā)性酸酐;強酸制弱酸;ABC;
(3)C的單質既可與鹽酸、又可與NaOH溶液反應,應為Al,W是一種含有10個電子的堿性氣體,應為NH3,則Y為AlN,故答案為:AlN;
(4)C的單質、石墨和二氧化鈦(TiO2)按一定比例在高溫下反應得到兩種化合物,兩種化合物均是由兩種元素組成的新型陶瓷材料,應為Al2O3和TiC,則反應的方程式為4Al+3TiO2+3C
 高溫 
.
 
2Al2O3+3TiC,
故答案為:4Al+3TiO2+3C
 高溫 
.
 
2Al2O3+3TiC.
點評:本題考查無機物的推斷,題目難度中等,本題中側重于物質的應用為考查點,注意把握Si和Al的單質及化合物的性質和用途,為高頻考點.
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源:海淀區(qū)2005年高三年級第一學期期末練習 化學 題型:022

A、B、C是短周期主族元素,且原子序數(shù)依次增大,A元素的原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍,B和C的原子序數(shù)之和是A的原子序數(shù)的3倍,B和C形成的離子具有相同的電子層結構.試回答下列問題:

(1)

C離子的結構示意圖是________;由A和B形成的含有非極性鍵的離子化合物的電子式是________;

(2)

B離子半徑(填“<”或“>”________C離子半徑,B和C元素最高價氧化物的水化物之間反應的離子方程式為________;

(3)

化合物X由元素A、B、C組成,寫出X的溶液與過量鹽酸反應的離子方程式:

________.

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科目:高中化學 來源: 題型:

A、B、C是短周期主族元素,且原子序數(shù)依次增大,A元素的原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍,B和C的原子序數(shù)之和是A的原子序數(shù)的3倍,B和C形成的離子具有相同的電子層結構。試回答下列問題:

(1)三種元素的名稱是:A____________,B____________,C____________。

(2)由A和B形成的含有非極性鍵的離子化合物的電子式是____________。

(3)B離子半徑(填“<”或“>”)____________C離子半徑,B離子的氧化性比C離子的氧化性____________(填“強”或“弱”),B和C元素最高價氧化物的水化物之間反應的離子方程式為__________________________。

(4)化合物X由元素A、B、C組成,寫出X的溶液與過量鹽酸反應的離子方程式____________。

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科目:高中化學 來源: 題型:解答題

化合物X由元素A、B組成,可用于制造高性能的現(xiàn)代通訊材料-光導纖維;化合物Y由不同短周期元素C、D組成,是良好的耐熱、耐沖擊材料.
(1)已知A的一種單質是一種重要的半導體材料,則A在元素周期表中的位置是______.A可由X與焦炭在高溫下反應制得,其反應的化學方程式為______.
(2)X與純堿高溫熔融時能生成Z,同時還生成一種氣體M;將一定量氣體M通入z的水溶液中生成白色沉淀和純堿溶液.X與純堿高溫熔融能發(fā)生反應的原因是______;M與Z的水溶液能發(fā)生反應的原因是______.要將純堿高溫熔化,下列坩堝中不可選用的是______.
A.普通玻璃坩堝        B.石英玻璃坩堝
C.氧化鋁坩堝         D.鐵坩堝
(3)C的單質既可與鹽酸、又可與NaOH溶液反應.一定條件下,Y和水作用生成含D的化合物W,W是一種含有10個電子的堿性氣體.則Y的化學式是______.
(4)C的單質、石墨和二氧化鈦(TiO2)按一定比例在高溫下反應得到兩種化合物,兩種化合物均是由兩種元素組成的新型陶瓷材料,則反應的化學方程式是(不必配平)______.

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科目:高中化學 來源:專項題 題型:推斷題

A、B、C是短周期主族元素,且原子序數(shù)依次增大,A元素的原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍,B和C的原子序數(shù)之和是A的原子序數(shù)的3倍,B和C形成的離子具有相同的電子層結構.試回答下列問題:
(1)三種元素的名稱是:A______,B______,C______.
(2)由A和B形成的含有非極性鍵的離子化合物的電子式是______________________.
(3)B離子半徑______(填“<”或“>”)C離子半徑,B離子的氧化性比C離子的氧化性________(填“強”或“弱”),B和C元素最高價氧化物的水化物之間反應的離子方程式為___________________________________.
(4)化合物X由元素A、B、C組成,寫出X的溶液與過量鹽酸反應的離子方程式________________________.

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