A、B、C、D、E、F六種元素的原子序數(shù)依次遞增。
已知:①F的原子序數(shù)為25,其余的均為短周期元素;②元素A與元素B同周期,元素A與元素E同主族,且A、B、E三種原子p軌道上均有2個未成對電子;③元素C、D、E在同一周期,且C原子中沒有未成對電子。
請回答下列問題:
(1)元素A與元素B的電負性大小比較為:________>________;元素C與元素D的第一電離能的大小比較為:________>________(填入相應的元素符號)
(2)F的核外電子排布式為________。
(3)元素B與元素E形成的晶體所屬的晶體類型為________晶體,在該晶體中原子間形成的共價鍵屬于________(從下列選項中選出正確類型)。
A.σ鍵    B.π鍵    C.既有σ鍵,又有π鍵
(4)由氫元素與A、B兩元素共同構(gòu)成的相對分子質(zhì)量為30的分子里,中心原子的雜化軌道類型為________,分子的空間構(gòu)型為________.
(5)根據(jù)等電子原理,寫出由元素A與元素B構(gòu)成的一種雙原子極性分子的結(jié)構(gòu)式:________。
(1)O;C;Mg;Al (2)[Ar]3d54s2(或1s22s22p63s23p63d54s2) (3)原子;A (4)sp2;平面三角形 (5)C≡O(shè)
A、B是第二周期元素,C、D、E是第三周期元素。由題意,A原子的電子排布式為1s22s22p2,B原子的電子排布式為1s22s22p4;C原子中沒有未成對電子,則C原子的電子排布式為1s22s22p63s2,所以A是C(碳),B是O,C是Mg,D是Al,E是Si。(1)電負性O(shè)>C。因為Mg原子3s軌道上排滿了2個電子,3p軌道上沒有電子,Al的3p軌道上有1個電子,所以Mg的第一電離能比Al的第一電離能大。(2)F是25Mn,因為能級交錯,E(3d)>E(4s),其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s2。(3)SiO2晶體是原子晶體,Si—O鍵是單鍵,單鍵是σ鍵。(4)該物質(zhì)是甲醛(HCHO),甲醛是平面三角形結(jié)構(gòu),C原子以sp2的方式雜化。(5)CO與N2是等電子體,結(jié)構(gòu)相似,CO是極性分子,分子中間的化學鍵是三鍵。
練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

[化學—選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)
有A、B、C、D、E、F、G、H原子序數(shù)遞增的前四周期八種元素。請根據(jù)下列信息,回答問題:
①A、B、C、D、E、F為短周期主族元素,原子半徑大小關(guān)系為A<D<C<B<F<E;
②A與D形成的化合物常溫下為液態(tài);
③B元素原子價電子(外圍電子)排布為nSnnPn
④F元素原子的核外p電子總數(shù)比s電子總數(shù)多1;
⑤第一電子能:F<E;
⑥G的基態(tài)原子核外有6個未成對電子;
⑦H能形成紅色(或磚紅色)的和黑色的HD兩種化合物。
(1)G元素基態(tài)原子的價電子排布圖為                        
(2)中B原子采取的雜化軌道類型為                     。
(3)根據(jù)等電子體原理,推測分子的空間構(gòu)型為                  。
(4)下列有關(guān)E、F的敘述正確的是(   )
a.離子半徑E>F              b.電負性E<F
c.單質(zhì)的熔點E>F            d. E、F的單質(zhì)均能與氧化物發(fā)生置換
e. E的氧化物具有兩性         f. E、F均能與氯元素構(gòu)成離子晶體
(5)極易溶于,原因是                                             
(6)E單質(zhì)的晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示,其晶胞特征如下圖乙所示,晶胞如下圖丙所示。則E單質(zhì)的晶體堆積模型為                。
若已知E原子半徑為r pm,表示阿伏伽德羅常數(shù),晶胞的邊長為a。晶胞的高為h,則晶胞的密度可表示為          g/cm3。(用只含r和代數(shù)式表示)

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

A、B、C、D、E都是元素周期表中的前20號元素,它們的原子序數(shù)依次遞增。已知B、D兩種元素原子的最外層電子數(shù)是最內(nèi)層電子數(shù)的兩倍,而C元素原子的最外層電子數(shù)等于B元素原子的核外電子數(shù),E的價電子數(shù)為1.回答下列問題。
(1)畫出C元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖       。
(2)在1mol DC2中,有    mol D—C鍵。
(3)在化合物BC2的晶體中,每個BC2分子周圍與它距離最近的BC2分子有   個。
(4)原子序數(shù)介于B、C之間的元素X和B、C都可與A形成10e-的化合物。則X、B、C的第一電離能順序是      (填元素符號),三種10e-的化合物中沸點最低的   。
(5)已知高溫下C和E元素形成的晶體呈立方體結(jié)構(gòu),晶體中元素C的化合價部分為0價,部分為-2價。如下圖所示為C和E元素形成的晶體的一個晶胞(晶體中最小的重復單元),則下列說法中正確的是            。

A.該晶體化學式為EC2(KO2),每個晶胞含有個4個E和4個C2-
B.晶體中每個E周圍有8個C2-,每個C2-周圍有8個E
C.晶體中與每個E距離最近的E有8個
D.晶體中,0價C與-2價C的數(shù)目比為3:1
E.C2-與N2互為等電子體

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

Ⅰ.下列說法中正確的是       。
A.SO2和O3、PO43-和ClO4-互為等電子體
B.甲烷分子失去一個H,形成CH3-,其碳原子的雜化類型發(fā)生了改變
C.Ti原子的核外電子排布式為[Ar]3d34s2
D.CS2、H2O、C2H2都是直線形分子
E.CH4、BCl3、CO2都是含有極性鍵的非極性分子
Ⅱ.立方氮化硼是一種自然界不存在的人工合成超硬材料,硬度僅次于金剛石,是超硬材料領(lǐng)域的最重要成就之一。請回答下列問題:
(1)在第二周期,原子的第一電離能一般隨核電荷數(shù)的增大而逐漸       ,比較下列原子的第一電離能:Be       B,N       O(填“>”“<”),其原因是               。
(2)如圖為立方氮化硼的晶胞,則氮化硼的化學式為       ,該晶體中B原子填充N原子的       空隙。若該晶胞的邊長為a cm,那么該晶體的密度為       g/cm3(只要求列出算式)。

(3)立方氮化硼的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的結(jié)構(gòu)相似,但其熔點比金剛石的低,試分析其原因:                                               。
(4)立方氮化硼由六方氮化硼在高溫高壓下制備,六方氮化硼又稱“白石墨”,結(jié)構(gòu)和許多性質(zhì)與石墨相似,六方氮化硼中N原子的雜化軌道類型為       ,請畫出六方氮化硼的平面結(jié)構(gòu)示意圖(用“○”代表N原子,用“●”代表B原子,每種原子不少于7個)。

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下列對一些實驗事實的理論解釋正確的是(  )。
選項
實驗事實
理論解釋
A
氮原子的第一電離能大于氧原子
氮原子2p能級半充滿
B
CO2為直線形分子
CO2分子中C—O是極性鍵
C
金剛石的熔點低于石墨
金剛石是分子晶體,石墨是原子晶體
D
HF的沸點高于HCl
HF的相對分子質(zhì)量小于HCl
 

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

A、B、C、D、E都是元素周期表中前20號元素,原子序數(shù)依次增大,B、C、D同周期,A、D同主族,E和其他元素既不在同周期也不在同主族,B、C、D的最高價氧化物的水化物兩兩混合均能發(fā)生反應生成鹽和水。根據(jù)以上信息,回答下列問題:

(1)A和D的氫化物中,沸點較低的是________(填“A”或“D”);A和B的離子中,半徑較小的是________(填離子符號)。
(2)C在元素周期表中的位置是______________。
(3)A和E可形成離子化合物,其晶胞(晶胞是在晶體中具有代表性的最小重復單元)結(jié)構(gòu)如上圖所示,陽離子(用“.”表示)位于該正方體的頂點或面心,陰離子(用“!北硎荆┚挥谛≌襟w的中心。該化合物的電子式是___________________________________________。

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

現(xiàn)有aA、bB、cC、dD、eE、gG六種短周期元素,a+b=c,a+c=d,a+d=e,d+e=g,B、C、E、G的單質(zhì)均有多種同素異形體,請回答下列問題:
Ⅰ.(1)C、D、E元素的第一電離能由大到小的關(guān)系為____________。(用相應的元素符號表示)
(2)請比較C2A4、D2A4、G2A4三種化合物的沸點由高到低的順序為    ____________________。(用化學式表示)
(3)有某種分子式為C4D4E8的物質(zhì)(該物質(zhì)中同種原子的化學環(huán)境完全相同,不含碳碳雙鍵)是一種威力極強的炸藥,則可推知其結(jié)構(gòu)簡式為____________。
Ⅱ.BG是一種耐磨材料,其與金剛石結(jié)構(gòu)相似,右圖為其結(jié)構(gòu)中的最小重復單元,它可由B的三溴化物和G的三溴化物于高溫下在氫氣的氛圍中合成。

(1)指出B的三溴化物中B的雜化方式為___________;G的三溴化物分子的結(jié)構(gòu)為_________型。
(2)寫出合成BG的化學反應方程式為_______________________________。
(3)已知晶體中B與G原子的最近距離為a pm,則該晶體的密度的表達式為__________g/cm3。(不需化簡)

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

A、B、C、E、F為原子序數(shù)依次增大的六種元素,其中A、B、C、D、E為短周期元素,F(xiàn)為第四周期元素,F(xiàn)還是前四周期中電負極最小的元素。
已知:
A原子的核外電子數(shù)與電子層數(shù)相等;
B元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1個;
C原子的第一至第四電離能為I1=738 kJ/mol,I2=1451 kJ/mol,I3=7733 kJ/mol,I4=10540 kJ/mol;
D原子核外所有p軌道為全充滿或半充滿;
E元素的族序數(shù)與周期序數(shù)的差為4;
(1)寫出E元素在周期表位置:________;D元素的原子的核外電子排布式:____________________。
(2)某同學根據(jù)題目信息和掌握的知識分析C的核外電子排布為

該同學所畫的軌道式違背了________。

(3)已知BA5為離子化合物,寫出其電子式:______________。
(4)DE3中心原子雜化方式為__________________,其空間構(gòu)型為______________。
(5)某金屬晶體中原子堆積方式如圖甲,晶胞特征如圖乙,原子相對位置關(guān)系如圖丙,則晶胞中該原子配位數(shù)為________;空間利用率為________;該晶體的密度為________。(已知該金屬相對原子質(zhì)量為m,原子半徑為a cm)

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

鈦是20世紀50年代發(fā)展起來的一種重要的結(jié)構(gòu)金屬,鈦合金因具有強度高、耐蝕性好、耐熱性高等特點而被廣泛用于各個領(lǐng)域。
(1)與鈦同周期的所有元素的基態(tài)原子中,未成對電子數(shù)與鈦相同的元素有      (填元素符號)。
(2)[Ti(OH)2(H2O)4]2+中的化學鍵有        。
A.σ鍵B.π鍵C.離子鍵D.配位鍵
(3)納米TiO2是一種應用廣泛的催化劑,納米TiO2催化的一個實例如下圖所示。

化合物甲的分子中采取sp2雜化方式的碳原子個數(shù)為        ,化合物乙中采取sp3雜化的原子的第一電離能由小到大的順序為        。
(4)有一種氮化鈦晶體的晶胞如圖所示,該晶體的化學式為    ,該晶體中Ti原子周圍與它距離最近且相等的N原子的個數(shù)______。

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