小林用如右圖所示的電路研究串聯(lián)電路特點,閉合開關(guān)S后,發(fā)現(xiàn)燈L1較亮,燈L2較暗,他對這一現(xiàn)象的解釋是:電流從電源正極出發(fā),經(jīng)過燈L1、燈L2電流逐漸變小,所以燈L1較亮,燈L2較暗;小歡認為小林的解釋是錯誤的,她只利用圖中的器材設(shè)計了一個實驗,并根據(jù)實驗現(xiàn)象說明小林的解釋是錯誤的,請你完成下列問題:
(1)在下面虛線框中,畫出小歡所設(shè)計的實驗電路圖;
(2)根據(jù)實驗現(xiàn)象簡要說明小林的解釋是錯誤的。
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科目:初中物理 來源:江蘇省鹽城市2010年高中階段教育招生統(tǒng)一考試物理試卷 題型:048
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巨磁電阻效應
1988年阿爾貝·費爾和彼得·格林貝格爾發(fā)現(xiàn),在鐵、鉻相間的三層復合膜電阻中,微弱的磁場可以導致電阻大小的急劇變化,這種現(xiàn)象被命名為“巨磁電阻效應”.
更多的實驗發(fā)現(xiàn),并非任意兩種不同種金屬相間的三層膜都具有“巨磁電阻效應”.組成三層膜的兩種金屬中,有一種是鐵、鈷、鎳這三種容易被磁化的金屬中的一種,另一種是不易被磁化的其他金屬,才可能產(chǎn)生“巨磁電阻效應”.
進一步研究表明,“巨磁電阻效應”只發(fā)生在膜層的厚度為特定值時.用R0表示未加磁場時的電阻,R表示加入磁場后的電阻,科學家測得鐵、鉻組成的復合膜R與R0之比
與膜層厚度d(三層膜厚度均相同)的關(guān)系如乙圖所示.
1994年IBM公司根據(jù)“巨磁電阻效應”原理,研制出“新型讀出磁頭”,將磁場對復合膜阻值的影響轉(zhuǎn)換成電流的變化來讀取信息.
(1)以下兩種金屬組成的三層復合膜可能發(fā)生“巨磁電阻效應”的是 .
A.銅、銀 B.鐵、銅 C.銅、鋁 D.鐵、鎳
(2)對鐵、鉻組成的復合膜,當膜層厚度是1.7nm時,這種復合膜電阻 (選填“具有”或“不具有”)“巨磁電阻效應”.
(3)“新型讀出磁頭”可將微弱的 信息轉(zhuǎn)化為電信息.
(4)鐵、鉻組成的復合膜,發(fā)生“巨磁電阻效應”時,
其電阻R比未加磁場時的電阻R0 (選填
“大”或“小”)得多.
(5)丙圖是硬盤某區(qū)域磁記錄的分布情況,其中1
表示有磁區(qū)域,0表示無磁區(qū)域.將“新型讀出磁頭”組成如圖所示電路,當磁頭從左向右勻速經(jīng)過該區(qū)域過程中,電流表讀數(shù)變化情況應是丁圖中的 .
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科目:初中物理 來源:專項題 題型:問答題
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巨磁電阻效應
1988年阿爾貝·費爾和彼得·格林貝格爾發(fā)現(xiàn),在鐵、鉻相間的三層復合膜電阻中,微弱的磁場可以導致電阻大小的急劇變化,這種現(xiàn)象被命名為“巨磁電阻效應”.
更多的實驗發(fā)現(xiàn),并非任意兩種不同種金屬相間的三層膜都具有“巨磁電阻效應”.組成三層膜的兩種金屬中,有一種是鐵、鈷、鎳這三種容易被磁化的金屬中的一種,另一種是不易被磁化的其他金屬,才可能產(chǎn)生“巨磁電阻效應”.
進一步研究表明,“巨磁電阻效應”只發(fā)生在膜層的厚度為特定值時.用R0表示未加磁場時的電阻,R表示加入磁場后的電阻,科學家測得鐵、鉻組成的復合膜R與R0之比與膜層厚度d(三層膜厚度均相同)的關(guān)系如乙圖所示.
1994年IBM公司根據(jù)“巨磁電阻效應”原理,
研制出“新型讀出磁頭”,將磁場對復合膜阻值的影響轉(zhuǎn)換成電流的變化來讀取信息
(1)以下兩種金屬組成的三層復合膜可能發(fā)生“巨磁電阻效應”的是 .
A.銅、銀 B.鐵、銅 C.銅、鋁 D.鐵、鎳
(2)對鐵、鉻組成的復合膜,當膜層厚度是1.7nm時,這種復合膜電阻 (選填“具有”或“不具有”)“巨磁電阻效應”.
(3)“新型讀出磁頭”可將微弱的 信息轉(zhuǎn)化為電信息.
(4)鐵、鉻組成的復合膜,發(fā)生“巨磁電阻效應”時,其電阻R比未加磁場時的電阻R0 (選填
“大”或“小”)得多.
(5)丙圖是硬盤某區(qū)域磁記錄的分布情況,其中1表示有磁區(qū)域,0表示無磁區(qū)域.將“新型讀出磁頭”組成如圖所示電路,當磁頭從左向右勻速經(jīng)過該區(qū)域過程中,電流表讀數(shù)變化情況應是丁圖中的 .
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