1 | 2 | 3 | |
U/I | 1.50 | 3.00 | 4.50 |
I/mA | 3.00 | 6.00 | 9.00 |
U |
I |
1.5V |
0.003A |
科目:初中物理 來源: 題型:
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科目:初中物理 來源: 題型:閱讀理解
1 | 2 | 3 | 4 | |
U(V) | 0.00 | 1.50 | 1.79 | 2.71 |
I(mA) | 0.00 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
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科目:初中物理 來源: 題型:
外加磁場B/T | 0 | 0.04 | 0.08 | 0.12 | 0.16 | 0.20 |
磁敏電阻RB/Ω | 150 | 170 | 200 | 230 | 260 | 300 |
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科目:初中物理 來源:2011屆北京市石景山區(qū)初中畢業(yè)暨一模考試物理試題 題型:實驗題
在物理學中,磁場的強弱用磁感應強度(用字母B表示,國際單位是特斯拉,符號是T)來表示,磁感線越密的地方,磁場越強,磁感應強度B越大.
(1)在圖20中,甲為某磁極附近磁感線的方向和分布的示意圖,由圖可知,該磁極為 ▲ 極,若在l處放置一個小磁針,當小磁針靜止時,其指向應是圖乙中的 ▲ .
(2)磁敏電阻阻值的大小隨磁場的強弱變化而變,圖丁是某磁敏電阻R的阻值隨磁感應強度B變化的圖象,據(jù)圖線可知,磁敏電阻的阻值隨磁感應強度B的增大而▲ .圖線沒有過坐標原點,說明 ▲ .
(3)王強設計了一個可以測量該磁敏電阻R的電路如圖丙所示,(其中磁敏電阻所處的磁場未畫出).將該磁敏電阻R放置在磁場中的位置某處,測出電阻后,利用R—B特性曲線可以讀出相應的磁感應強度.
①在圖甲磁場中1處,測得的數(shù)據(jù)如圖20表中所示,則該磁敏電阻的測量值為 ▲ Ω.
②根據(jù)該磁敏電阻的R-B特性曲線可知,1處的磁感應強度為 ▲ T.
③在實驗過程中,僅將磁敏電阻從1處移至2處,其它條件不變,那么電流表的示數(shù)
▲ (填“增大”、“減小”或“不變”).
④依據(jù)上述方法獲得的磁感應強度B的測量值與該點實際值存在不小的誤差,為盡可能準確反映空間某點磁場的強弱,你認為在選擇磁敏電阻時應注意什么問題?
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