芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　�。�
A．反應(yīng)①中，CO是還原劑
B．①②③屬于同一反應(yīng)類型
C．②③的目的是將粗硅提純
D．上述反應(yīng)進(jìn)行中不能有O2存在
A、反應(yīng)①中一氧化碳失去氧，發(fā)生還原反應(yīng)，是氧化劑．故A錯(cuò)誤；
B、①②③反應(yīng)都是一種單質(zhì)和一種化合物反應(yīng)生成另一種單質(zhì)和另一種化合物，屬于同一基本反應(yīng)類型．故B正確；
C、經(jīng)過(guò)②③反應(yīng)，粗硅得到提純，故②③的目的是將粗硅提純．正確；
D、上述反應(yīng)如有氧存在會(huì)使反應(yīng)無(wú)法正常進(jìn)行，故不能有氧氣存在，故D正確．
故選A．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：初中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl
 加熱 
.
 
SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　�。�
A、①②③屬于同一基本反應(yīng)類型
B、②③的目的是將粗硅提純
C、生產(chǎn)過(guò)程中HCl可以循環(huán)使用
D、上述反應(yīng)只需在干燥的設(shè)備中進(jìn)行

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科目：初中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（2012?玄武區(qū)一模）芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　�。�

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科目：初中化學(xué) 來(lái)源：2012年江蘇省南京市玄武區(qū)中考化學(xué)一模試卷（解析版） 題型：選擇題

芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）
A．反應(yīng)①中，CO是還原劑
B．①②③屬于同一反應(yīng)類型
C．②③的目的是將粗硅提純
D．上述反應(yīng)進(jìn)行中不能有O2存在

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科目：初中化學(xué) 來(lái)源：2011年山東省濟(jì)南市中考化學(xué)模擬試卷（四）（解析版） 題型：選擇題

（2011?西城區(qū)一模）芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HClSiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）

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